(19)
(11) EP 0 890 902 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
22.09.1999  Patentblatt  1999/38

(43) Veröffentlichungstag A2:
13.01.1999  Patentblatt  1999/02

(21) Anmeldenummer: 98112767.3

(22) Anmeldetag:  09.07.1998
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)6: G06F 11/20
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK RO SI

(30) Priorität: 10.07.1997 DE 19729579

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Göbel, Holger, Dr.
    80802 München (DE)

   


(54) Redundanzschaltung für Halbleiterspeicher


(57) Die Erfindung betrifft eine Redundanzschaltung für Halbleiterspeicher mit in Segmenten organisierten Wortleitungen (WL), bei der bei Auftreten einer defekten Wortleitung (defect WL) in einem Segment (segment 8, 9, 10) mittels den jeweiligen Segmenten zugeordneten Fuse-Sets (10, 11) durch Inter-Segment-Redundanz eine redundante Wortleitung (Red. WL) im gleichen oder in einem anderen Segment durch ein Segmentauswahlsignal (RPDZ') aktivierbar ist. Das Segmentauswahlsignal (RPDZ') wird durch Auswertung des Ausgangssignals der Fuse-Sets direkt erzeugt.






Recherchenbericht