MOSFET UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER SCHICHTEN EINES DERARTIGEN TRANSISTORS - Patent 0946987

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EP 0 946 987 A1

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(43)	Veröffentlichungstag:
	06.10.1999 Patentblatt 1999/40

(21)	Anmeldenummer: 97952726.0

(22)	Anmeldetag: 08.12.1997

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Internationale Patentklassifikation (IPC):

H01L 29/ 78^{( . )}
H01L 21/ 28^{( . )}

H01L 21/ 265^{( . )}
H01L 21/ 336^{( . )}

(86)	Internationale Anmeldenummer:
	PCT/DE1997/002911

(87)	Internationale Veröffentlichungsnummer:
	WO 1998/026456 (18.06.1998 Gazette 1998/24)

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	AT CH DE DK ES FI FR GB GR IT LI NL SE

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Priorität:

09.12.1996 DE 19961052417

(71)	Anmelder: INSTITUT FÜR HALBLEITERPHYSIK FRANKFURT (ODER) GmbH
	15230 Frankfurt (Oder) (DE)

(72)	Erfinder:
	LIPPERT, Gunther D-15230 Frankfurt an der Oder (DE) OURMAZD, Abbas D-14193 Berlin (DE) OSTEN, Hans-Jörg D-15299 Müllrose (DE)

(74)	Vertreter: Heitsch, Wolfgang
	Göhlsdorfer Strasse 25g 14778 Jeserig 14778 Jeserig (DE)

(54)	MOSFET UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DER SCHICHTEN EINES DERARTIGEN TRANSISTORS