Verfahren zum Abgleichen eines Widerstandes in einer integrierten Schaltung und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens

Abstract

 Dem einen steuerbaren Widerstand M1 (FET )enthaltenden abzugleichenden Widerstand RM wird ein Konstantstrom I_M eingeprägt, dann der Istwert der durch den Konstantstrom I_M am abzugleichenden Widerstand RM verursachten Spannung V_RM mit einer als Sollwert vorgegebenen Referenzspannung V_ref verglichen und der steuerbare Widerstand M1 solange verändert, bis der Istwert der am Widerstand RM abfallenden Spannung V_RM mit dem Sollwert der Referenzspannung V_ref übereinstimmt.

Beschreibung

[0001] Verfahren zum Abgleichen eines Widerstandes in einer integrierten Schaltung und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.

[0002] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abgleichen eines Widerstandes in einer integrierten Schaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfindung betrifft auch eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.

[0003] Widerstände in integrierten Schaltungen, insbesondere in MOS-Technologie, weisen in der Regel einen Toleranzbereich von bis zu ±30% ihres Nennwertes auf. Genauere Widerstandswerte konnten bisher nur in aufwendigen Abgleichverfahren durch Lasereinschnitte in die Widerstandsfläche erreicht werden. Nachteilig an diesen Verfahren ist, daß solche Widerstände materialbedingt temperaturabhängig sind.

[0004] Aus DE 19520735 A1 ist eine Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststroms eines Leistungs-Halbleiterbauelements bekannt, welche eine Reihenschaltung eines an Masse liegenden Meßwiderstandes und eines steuerbaren Widerstandes aufweist, der so eingestellt wird, daß der Meßstrom dem Laststrom proportional wird.

[0005] Aus DE 4101492 A1 ist eine Schaltungsanordnung zum Erfassen des durch einen Verbraucher und eine Endstufe fließenden Laststroms bekannt, bei welcher in einem mit dem Laststromkreis verbundenen Schaltungszweig mittels eines steuerbaren Widerstandes dessen Strom so gesteuert wird, daß dieser an einem Widerstand eine zum Laststrom proportionale Spannung erzeugt.

[0006] Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, welches in der Lage ist, einen Widerstand in einer integrierten Schaltung auf wesentlich engere Toleranzwerte abzugleichen und dessen Temperaturabhängigkeit zu eliminieren. Aufgabe der Erfindung ist es auch, eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens zu schaffen.

[0007] Diese Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens durch die Merkmale des Anspruchs 1 und bezüglich der Vorrichtung durch die Merkmale des Anspruchs 3 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.

[0008] Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß zum Abgleich des Widerstandes lediglich eine am abzugleichenden Widerstand abfallende Istspannung mittels einer externen Regelschaltung einer vorgegebenen Sollspannung anzugleichen ist. Ein weiteren Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, daß auf diese Weise abgeglichene Widerstände temperaturunabhängig sind, weil der Abgleichvorgang kurz vor Verwendung des Widerstandes bei der jeweiligen Temperatur stattfindet. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren sind Toleranzwerte um den Sollwert von bis zu ca. ±4% erzielbar.

[0009] Ein schematisches Ausführungsbeispiel einer erfindunggemäßen Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigen:

Figur 1 ein Schaltbild einer erfindungsgemäßen Vorrichtung,

Figur 2 den Verlauf der Gate-Spannung Ug über der Zeit, und

Figur 3 den Verlauf des Widerstandwertes RM über der Zeit.

[0010] Figur 1 zeigt einen in einer nicht dargestellten integrierten Schaltung IS angeordneten Feldeffekttransistor M1, dessen Drain-Source-Strecke als steuerbarer Widerstand in Reihe mit einem ebenfalls integrierten Widerstand R1 angeordnet ist. Der Source-Anschluß des Feldeffekttransistors M1 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit dem Masseanschluß GND der Schaltung IS verbunden. Die Reihenschaltung aus Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors M1 und Widerstand R1 stellt in diesem Ausführungsbeispiel den abzugleichenden, d.h., möglichst genau auf einen vorgegebenen Wert einzustellenden Widerstand RM dar.

[0011] Zwischen dem Gateanschluß G des Feldeffekttransistors M1 und dem Masseanschluß GND ist ein Kondensator C1 angeordnet. Der Gateanschluß G ist über einen (Ein-AUS-)Schalter S2 und einen mit ihm in Reihe liegenden ersten Umschalter S1 entweder über einen Ladewiderstand R3 mit einer Spannungsquelle V1 oder über einen Entladewiderstand R2 mit dem Masseanschluß GND verbunden. (Das Laden und Entladen des Kondensators C1 kann jedoch auch auf andere Weise erfolgen, beispielsweise über aufladende und entladende Stromquellen.) Der erste Umschalter S1 wird vom Ausgangssignal V_OP eines als Komparator geschalteten Operationsverstärkers OP angesteuert, dessen invertierendem Eingang "-" eine vorgegebene Referenzspannung V_ref, wie nachstehend erläutert, zugeführt wird.

[0012] Der Widerstand RM (in diesem Ausführungsbeispiel also R1, der jedoch auch zwischen Sourceanschluß und Massebezugspotential GND liegen kann) ist mit dem nichtinvertierenden Eingang "+" des Operationsverstärkers OP sowie über einen zweiten Umschalter S3 in der gezeichneten Stellung mit einer Referenzstromquelle I_ref, und in der anderen Stellung mit der nicht dargestellten integrierten Schaltung IS, in welcher der abgeglichene Widerstand RM verwendet werden soll, verbunden..

[0013] Von der Referenzstromquelle I_ref fließt ein Konstantstrom I_M, beispielsweise 300µA, durch

. Wenn der Widerstand RM einen Wert von beispielsweise 10kΩ aufweisen soll, so muß an ihn bei einem Strom I_M = 300µA eine Spannung

abfallen. Dazu wird der Istwert der Spannung V_RM im Komparator (Operationsverstärker OP) mit einer vorgegebenen Referenzspannung (als Sollwert) V_ref = 3V verglichen. In der gezeichneten Abgleich-Stellung der Schalter S2 und S3, die von außen synchron gesteuert werden, sei angenommen, daß der Widerstand RN (hier R1 + M1) zu groß und dementsprechend auch die Spannung V_RM größer als die Referenzspannung V_ref ist. Da der Widerstand R1 sich nur mit der Temperatur ändern kann, muß der Widerstand der Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors M1 verkleinert werden, wozu seine Gatespannung V_G vergrößert werden muß.

[0014] Dies geschieht dadurch, daß, vom Ausgangssignal V_OP des Operationsverstärkers OP gesteuert, der erste Umschalter S1 in die gezeichnete Stellung gebracht wird, wodurch der Kondensator C1 von der Spannungsquelle V1 über den Ladewiderstand R3 aufgeladen wird. Dadurch wird der Widerstand der Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors M1 und damit die Spannung V_RM verkleinert.

[0015] Wird anschließend der Istwert der Spannung V_RM kleiner als der Sollwert der Referenzspannung V_ref, so wird der erste Umschalter S1 vom Ausgangssignal V_OP des Operationsverstärkers OP in die andere Stellung gebracht, wodurch der Kondensator C1 über den Entladewiderstand R2 entladen wird. Dadurch wird der Widerstand über der Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors M1 und mit ihn der Istwert der Spannung V_RM wieder größer.

[0016] Der Istwert der Spannung V_RM pendelt dann um den vorgegebenen Sollwert der Referenzspannung V_ref. Die Bauelemente OP, V1, C1, S1, R2 und R3 stellen demnach einen Zweipunktregler dar. Wenn der erste Umschalter S1 zwischen seinen beiden Schaltstellungen hin- und herpendelt, hat der Widerstand RM seinen Sollwert von etwa RM ±4% erreicht.

[0017] Eng tolerierte Widerstandswerte können auf die gleiche Weise auch ohne integrierten Widerstand R1 erzeugt werden, indem lediglich die Drain-Source-Strecke des Feldeffekttransistors M1 als Widerstandswert RM dient.

[0018] Nach Beendigung des Abgleichvorgangs wird die Regelschaltung samt der Referenzstromquelle I_ref abgeschaltet, d.h., es werden (durch einen Befehl der integrierten Schaltung IS oder von außerhalb) der Schalter S2 geöffnet und der zweite Umschalter in seine andere Stellung umgeschaltet. Dadurch wird der Widerstand RM mit der integrierten Schaltung IS verbunden und die Gatespannung V_G für eine bestimmte Dauer, die von der Güte des Kondensators C1 abhängt,

eingefroren". Der Widerstand RM bleibt für eine bestimmte Zeit konstant und kann durch wiederholte Abgleichvorgänge aufgefrischt werden.

[0019] Insbesondere bei ASIC's, auf denen üblicherweise ohnehin eine Referenzspannungsquelle sowie ein daraus mit Hilfe eines externen Referenzwiderstandes abgeleiteter Referenzstrom bereits vorhanden sind, ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren auf einfache Weise, integrierte Widerstände dynamisch im Betrieb abzugleichen. Teure und zeitaufwendige Testschritte zum nachträglichen Lasertrimmen des Widerstandes können dadurch entfallen. Außerdem wird der Temperaturgang des integrierten Widerstandes dynamisch gleich mitabgeglichen.

[0020] Figur 2 zeigt den Verlauf der Gate-Spannung über der Zeit während des Abgleichvorgangs und danach und Figur 3 zeigt die Größe des Widerstandes RM als Quotient V_RM/I_M über der Zeit, ebenfalls während des Abgleichvorgangs und danach.

Ansprüche

1. Verfahren zum Abgleichen eines Widerstandes (RM) in einer integrierten Schaltung (IS), insbesondere in einem ASIC, welcher eine Reihenschaltung eines Widerstandes (R1) und eines steuerbaren Widerstandes (M1) enthält,
dadurch gekennzeichnet,

- daß dem abzugleichenden Widerstand (RM) ein Konstantstrom (I_M) vorgegebener Stärke eingeprägt wird,

- daß der Istwert der durch den Konstantstrom (I_M) am abzugleichenden Widerstand (RM) verursachten Spannung (V_RM) mit einer als Sollwert vorgegebenen Referenzspannung (V_ref) verglichen wird, und

- daß der steuerbare Widerstand (M1) solange verändert wird, bis der Istwert der am Widerstand (RM) abfallenden Spannung (V_RM) mit dem Sollwert der Referenzspannung (V_ref) übereinstimmt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wert des Widerstandes (RM) durch wiederholte Abgleichvorgänge aufgefrischt wird.

3. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, bei welcher der abzugleichende Widerstand (RM) auf der einen Seite mit dem Masseanschluß (GND) der integrierten Schaltung verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet,

- daß der abzugleichende Widerstand (RM) auf der anderen Seite einerseits mit dem nichtinvertierenden Eingang (+) eines als Komparator geschalteten Operationsverstärkers (OP) und andererseits über einen zweiten Umschalter (S3) entweder mit einer Referenzstromquelle (I_ref) oder mit der integrierten Schaltung (IS) verbunden ist,

- daß zwischen dem Steueranschluß (G) des steuerbaren Widerstandes (M1) und dem Masseanschluß (GND) ein Kondensator (C1) angeordnet ist,

- daß der Steueranschluß (G) über einen Schalter (S2) und einen mit ihm in Reihe liegenden ersten Umschalter (S1) entweder über einen Ladewiderstand (R3) mit einer Spannungsquelle (V1) oder über einen Entladewiderstand (R2) mit dem Masseanschluß(GND) verbunden ist, und

- daß der erste Umschalter (S1) vom Ausgangssignal (V_OP) des Operationsverstärkers (OP) angesteuert wird, dessen invertierendem Eingang (-) eine vorgegebene Referenzspannung (Vref) zugeführt wird.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der steuerbare Widerstand (M1) ein Feldeffekttransistor ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß nach erfolgten Abgleich

- der Widerstand (RM) über den zweiten Umschalter (S3) mit der integrierten Schaltung (IS) verbunden wird, und

- Schalter (S2) geöffnet wird.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuerung des Schalters (S2) und des zweiten Umschalters (S3) von der integrierten Schaltung (IS) oder von außerhalb derselben erfolgt.

7. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsquelle (V1) und der Ladewiderstand (R3) durch eine den Kondensator (C1) ladende Stromquelle und der Entladewiderstand (R2) durch eine den Kondensator (C1) entladende Stromquelle gebildet sind.

Zeichnung