(19)
(11) EP 0 976 149 B8

(12) FASCICULE DE BREVET EUROPEEN CORRIGE
Avis: La bibliographie est mise à jour

(15) Information de correction:
Version corrigée no  1 (W1 B1)

(48) Corrigendum publié le:
25.03.2009  Bulletin  2009/13

(45) Mention de la délivrance du brevet:
29.10.2008  Bulletin  2008/44

(21) Numéro de dépôt: 99903756.7

(22) Date de dépôt:  15.02.1999
(51) Int. Cl.: 
H01L 21/28(2006.01)
 H01L 29/49(2006.01)
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR1999/000330
(87) Numéro de publication internationale:
WO 1999/043024 (26.08.1999 Gazette  1999/34)

(54)

PROCEDE POUR LIMITER L'INTERDIFFUSION DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A GRILLE COMPOSITE SI/SIGE

VERFAHREN ZUR VERMINDERUNG DER INTERDIFFUSION IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT MIT SI/SIGE VERBINDUNGS-GATTER

METHOD FOR LIMITING INTERNAL DIFFUSION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPOSITE SI/SIGE GATE

(84) Etats contractants désignés:
BE DE GB IT NL

(30) Priorité: 19.02.1998 FR 9802026

(43) Date de publication de la demande:
02.02.2000  Bulletin  2000/05

(73) Titulaire: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
75015 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • BENSAHEL, Daniel
    F-38000 Grenoble (FR)
  • CAMPIDELLI, Yves
    F-38000 Grenoble (FR)
  • MARTIN, François
    F-38000 Grenoble (FR)
  • HERNANDEZ, Caroline
    F-38000 Grenoble (FR)

(74) Mandataire: Casalonga, Axel 
Bureau Casalonga & Josse Bayerstrasse 71/73
80335 München
80335 München (DE)


(56) Documents cités: : 
US-A- 5 521 108
 US-A- 5 567 638
   
  • KISTLER N ET AL: "SYMMETRIC CMOS IN FULLY-DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR USING P+- POLYCRYSTALLINE SI-GE GATE ELECTRODES" PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, WASHINGTON, DEC. 5 - 8, 1993,5 décembre 1993, pages 727-730, XP000481716 INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS cité dans la demande
  • PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 017, no. 401 (E-1404), 27 juillet 1993 -& JP 05 075136 A (OKI ELECTRIC IND CO LTD), 26 mars 1993
  • JIN Z ET AL: "LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF POLYCRYSTALLINE SI1-XGEX AFTER DOPANT IMPLANTATION" IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 44, no. 11, novembre 1997, pages 1958-1963, XP000722070
  • HELLBERG P -E ET AL: "WORK FUNCTION OF BORON-DOPED POLYCRYSTALLINE SIXGE1-X FILMS" IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, vol. 18, no. 9, septembre 1997, pages 456-458, XP000696525
   
Il est rappelé que: Dans un délai de neuf mois à compter de la date de publication de la mention de la délivrance de brevet européen, toute personne peut faire opposition au brevet européen délivré, auprès de l'Office européen des brevets. L'opposition doit être formée par écrit et motivée. Elle n'est réputée formée qu'après paiement de la taxe d'opposition. (Art. 99(1) Convention sur le brevet européen).