(19)
(11) EP 1 008 185 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
14.06.2000  Patentblatt  2000/24

(21) Anmeldenummer: 98947343.4

(22) Anmeldetag:  27.07.1998
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 29/24
// (H01L29/78, 29:808, 29:812, 29:739)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9802/108
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9907/018 (11.02.1999 Gazette  1999/06)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR IT

(30) Priorität: 31.07.1997 DE 19733076

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • PETERS, Dethard
    D-91315 Höchstadt (DE)
  • SCHÖRNER, Reinhold
    D-91091 Gro enseebach (DE)

   


(54) HALBLEITERSTRUKTUR AUF BASIS VON SILIZIUM-CARBID-MATERIAL MIT MEHREREN ELEKTRISCH UNTERSCHIEDLICHEN TEILGEBIETEN