(19)
(11) EP 1 019 953 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
19.07.2000  Patentblatt  2000/29

(21) Anmeldenummer: 98955323.5

(22) Anmeldetag:  14.09.1998
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/265, H01L 21/324, C30B 35/00
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9802/722
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9917/345 (08.04.1999 Gazette  1999/14)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
CH DE FR IT LI SE

(30) Priorität: 30.09.1997 DE 19743127

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81541 München (DE)

(72) Erfinder:
  • HÖLZLEIN, Karlheinz
    D-91315 Höchstadt (DE)
  • RUPP, Roland
    D-91207 Lauf (DE)
  • WIEDENHOFER, Arno
    D-91058 Erlangen (DE)

(74) Vertreter: Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf. et al
Patentanwalt,Postfach 22 13 17
80503 München
80503 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUM THERMISCHEN AUSHEILEN VON DURCH IMPLANTATION DOTIERTEN SILIZIUMCARBID-HALBLEITERN