(19)
(11) EP 1 025 591 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
09.08.2000  Patentblatt  2000/32

(21) Anmeldenummer: 98955366.4

(22) Anmeldetag:  05.10.1998
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 29/78, H01L 21/336, H01L 29/423
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9802/946
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9922/408 (06.05.1999 Gazette  1999/18)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB IT

(30) Priorität: 23.10.1997 DE 19746900

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81541 München (DE)

(72) Erfinder:
  • RÖSNER, Wolfgang
    D-81739 München (DE)
  • SCHULZ, Thomas
    D-81739 München (DE)
  • AEUGLE, Thomas
    D-81735 München (DE)

(74) Vertreter: Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf. 
Patentanwalt,Postfach 22 13 17
80503 München
80503 München (DE)

   


(54) VERTIKALER MOS-TRANSISTOR UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG