(19)
(11) EP 1 029 371 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
23.08.2000  Patentblatt  2000/34

(21) Anmeldenummer: 98959754.7

(22) Anmeldetag:  22.10.1998
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H01L 39/24
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9803/107
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9923/707 (14.05.1999 Gazette  1999/19)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
CH DE FR GB IT LI

(30) Priorität: 04.11.1997 DE 19748483

(71) Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
80333 München (DE)

(72) Erfinder:
  • NIES, Rainer
    D-91054 Erlangen (DE)

   


(54) AUFBAU MIT HOCH-T c?-SUPRALEITERMATERIAL SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES AUFBAUS