(19)
(11) EP 1 048 075 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
02.11.2000  Patentblatt  2000/44

(21) Anmeldenummer: 99906052.8

(22) Anmeldetag:  14.01.1999
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 25/065
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9900/069
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9936/962 (22.07.1999 Gazette  1999/29)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB IT

(30) Priorität: 15.01.1998 DE 19801312

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81541 München (DE)

(72) Erfinder:
  • TUTSCH, Günter
    D-93342 Saal (DE)
  • NEU, Achim
    D-93047 Regensburg (DE)

(74) Vertreter: Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf. 
Patentanwalt,Postfach 22 13 17
80503 München
80503 München (DE)

   


(54) HALBLEITERBAUELEMENT MIT MEHREREN SUBSTRATLAGEN UND ZUMINDEST EINEM HALBLEITERCHIP UND EINEM VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SOLCHEN HALBLEITERBAUELEMENTES