(19)
(11) EP 1 057 215 A1

(12)

(43) Date de publication:
06.12.2000  Bulletin  2000/49

(21) Numéro de dépôt: 99958336.2

(22) Date de dépôt:  15.12.1999
(51) Int. Cl.7: H01L 21/84, H01L 27/12
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR9903/151
(87) Numéro de publication internationale:
WO 0038/229 (29.06.2000 Gazette  2000/26)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

(30) Priorité: 18.12.1998 FR 9816028

(71) Demandeur: THOMSON-CSF
75008 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • Plais, François,Thomson-CSF Prop. Int. Dépt. Bre
    94117 Arcueil Cedex (FR)
  • Reita, Carlo,Thomson-CSF Prop. Int. Dépt. Brev.
    94117 Arcueil Cedex (FR)
  • Huet, Odile,Thomson-CSF Prop. Int. Dépt. Brev.
    94117 Arcueil Cedex (FR)

   


(54) PROCEDE DE REALISATION DE TRANSISTORS CMOS ET DISPOSITIFS ASSOCIES