(19)
(11) EP 1 060 518 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
20.12.2000  Patentblatt  2000/51

(21) Anmeldenummer: 99911574.4

(22) Anmeldetag:  27.01.1999
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 29/78, H01L 21/336, H01L 29/423
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9900/215
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9943/029 (26.08.1999 Gazette  1999/34)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE

(30) Priorität: 20.02.1998 DE 19807213

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81541 München (DE)

(72) Erfinder:
  • HOFMANN, Franz
    D-80995 München (DE)
  • WILLER, Josef
    D-85521 Riemerling (DE)
  • KRAUTSCHNEIDER, Wolfgang
    D-83104 Hohenthann (DE)

(74) Vertreter: Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf. 
Patentanwalt,Postfach 22 13 17
80503 München
80503 München (DE)

   


(54) GRABEN-GATE-MOS-TRANSISTOR, DESSEN VERWENDUNG IN EINER EEPROM-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG