(19)
(11) EP 1 074 044 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
07.02.2001  Patentblatt  2001/06

(21) Anmeldenummer: 99914391.0

(22) Anmeldetag:  29.01.1999
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/762, H01L 29/786
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9900/247
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9953/541 (21.10.1999 Gazette  1999/42)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB IE IT

(30) Priorität: 14.04.1998 DE 19816449

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81541 München (DE)

(72) Erfinder:
  • TIHANYI, Jenö
    D-85551 Kirchheim (DE)

(74) Vertreter: Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf. 
Siemens AG,Patentabteilung,Postfach 22 16 34
80506 München
80506 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SOI-WAFERS FÜR NIEDEROHMIGE HOCHVOLT-HALBLEITERBAUELEMENTE