(19)
(11) EP 1 084 285 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
21.03.2001  Patentblatt  2001/12

(21) Anmeldenummer: 99929077.8

(22) Anmeldetag:  03.05.1999
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: C25F 3/12
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE9901/292
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 9958/746 (18.11.1999 Gazette  1999/46)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
DE FR GB IT NL

(30) Priorität: 08.05.1998 DE 19820756

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • LEHMANN, Volker
    D-80689 München (DE)
  • REISINGER, Hans
    D-82031 Grünwald (DE)
  • WENDT, Hermann
    D-85630 Grasbrunn (DE)
  • STENGL, Reinhard
    D-86391 Stadtbergen (DE)
  • LANGE, Gerrit
    D-81373 München (DE)
  • OTTOW, Stefan
    D-01109 Dresden (DE)

(74) Vertreter: Zimmermann & Partner 
Postfach 33 09 20
80069 München
80069 München (DE)

   


(54) PERFORIERTE SILIZIUM-MEMBRAN, HERGESTELLT MITTELS EINES ELEKTROCHEMISCHEN ÄTZVERFAHRENS