VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNGSANORDNUNG UMFASSEND EINEN HOHLRAUM IN EINER MATERIALSCHICHT, SOWIE EINE DURCH DAS VERFAHREN ERZEUGTE INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG

Beschreibung

[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordung umfassend einen Hohlraum in einer Materialschicht, sowie eine durch das Verfahren erzeugte integrierte Schaltungsanordnung.

[0002] Es gibt eine Vielzahl integrierter Schaltungsanordnungen, für die es von Vorteil ist, eine Vertiefung mit Abmessungen von mindestens einigen µm aufzuweisen.

[0003] Beispielsweise umfaßt eine solche Schaltungsanordnung ein CMOS-Mikrofon, bei dem eine Vertiefung einen Hohlraum, das sogenannte Rückseitenvolumen, bildet, über dem eine Membran angeordnet ist, die durch Schallwellen in Schwingungen versetzt wird. Mit Hilfe eines Kondensators werden die Schwingungen in elektrische Signale umgewandelt. Je mehr Volumen die Vertiefung aufweist, umso leichter kann die Membran schwingen, und umso geringere Schallpegel können nachgewiesen werden. Für Mikrofone ist es demnach erstrebenswert, eine möglichst tiefe Vertiefung mit großem horizontalem Querschnitt vorzusehen.

[0004] In P.R. Scheeper et al, "A Review of Silicon Microphones", Sensors and Actuators A 44 1994, Seiten 1 bis 11, ist ein erstes Mikrofon beschrieben, bei dem eine Vertiefung, die als Rückseitenvolumen dient, in einem ersten Siliziumsubstrat erzeugt wird. In einem zweiten Siliziumsubstrat werden eine perforierte Deckelschicht und darüber eine Membran erzeugt. Das erste Siliziumsubstrat wird mit dem zweiten Siliziumsubstrat verbunden. Eine Kapazität wird durch die Deckelschicht und das erste Siliziumsubstrat gebildet. Da die Vertiefung und die Deckelschicht in gesonderten Substraten erzeugt werden, ist der Prozeßaufwand sehr hoch. Das Verbinden der Substrate erfordert hohe Temperaturen, welche die Prozeßsicherheit beeinträchtigen können.

[0005] Diese Nachteile werden bei einem zweiten im oben genannten Fachartikel beschriebenen Mikrofon vermieden. Die Deckelschicht und die Vertiefung werden in einem einzigen Substrat erzeugt. Dazu wird die Vertiefung mit einer Opferschicht gefüllt. Über der Opferschicht wird eine perforierte Deckelschicht und darüber eine Membran erzeugt. Durch eine Öffnung am Rande der Membran wird die Opferschicht anschließend durch Ätzen entfernt.

[0006] Paßt in einen horizontalen Querschnitt einer Vertiefung eine kreisförmige Fläche hinein, deren Durchmesser mindestens der Tiefe der Vertiefung entspricht, so muß die Dicke einer konform abgeschiedenen Schicht mindestens die Tiefe der Vertiefung betragen, damit die Vertiefung durch die Schicht gefüllt wird. Bei Mikrofonen haben die zugehörigen Vertiefungen in der Regel die beschriebenen Abmessungen.

[0007] Allgemein führt jedoch eine Abscheidung einer Schicht, die dicker als einige µm ist, zum Abblättern der Schicht oder zu Rißbildung in der Schicht. Außerdem kann die betreffende Schaltungsanordnung aufgrund von Schichtspannungen verbogen werden. Nicht zuletzt erfordert die Abscheidung einer dicken Schicht einen hohen Zeit- und Kostenaufwand. Vertiefungen, die zu irgend einem Zeitpunkt gefüllt werden, weisen deshalb im Stand der Technik Abmessungen unter einigen µm auf.

[0008] Da beim zweiten Mikrofon die Vertiefung während des Herstellungsverfahrens durch Abscheidung der Opferschicht gefüllt wird, ist sie im Gegensatz zur Vertiefung des ersten Mikrofons flach. Das Rückseitenvolumen des zweiten Mikrofons ist entsprechend kleiner als beim ersten Mikrofon.

[0009] Weitere integrierte Schaltungsanordnungen, für die es von Vorteil ist, eine Vertiefung mit Abmessungen von mindestens einigen µm aufzuweisen, umfassen beispielsweise mikromechanische Bauelemente, wie Drehratensensoren oder Beschleunigungssensoren, die in Hohlräumen angeordnete bewegliche Strukturen aufweisen, für die eine möglichst große Bewegungsfreiheit erstrebt wird. In der deutschen Patentanmeldung DE 195 09 868 A1 wird ein Herstellungsverfahren für solche mikromechanische Bauelemente beschrieben. Diese Druckschrift offenbart eine integrierte Schaltungsanordnung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 4. Auf einem Substrat werden eine untere Opferschicht und darüber eine Strukturschicht erzeugt und strukturiert, wodurch eine von einer Vertiefung umgebene Struktur erzeugt wird. Die Vertiefung wird durch Abscheidung einer oberen Opferschicht gefüllt, über der eine Deckelschicht aufgebracht wird. Unter Verwendung von Ätzlöchern in der Deckelschicht werden die Opferschichten entfernt, und die Vertiefung bildet einen Teil eines Hohlraums, in dem sich die Struktur bewegen kann.

[0010] Beim Beschleunigungssensor oder beim Drehratensensor werden Erschütterungen oder Rotationen mit Hilfe der Struktur, die in laterale Schwingungen versetzbar ist, detektiert. Die Dekkelschicht dient dem Schutz der Schaltungsanordnung. Die Empfindlichkeit des Beschleunigungssensors oder des Drehratensensors ist umso größer je dicker die Struktur, d.h. je tiefer die Vertiefung ist.

[0011] Die Herstellung von Vertiefungen zur Bildung von Grabenkondensatoren bzw. Grabenisolationen ist in US 5 665 622 bzw. US 5 358 891 beschrieben. Aus US 4 753 901, gemäß welcher der Oberbegriff des Anspruchs 1 abgegrenzt wurde, ist bekannt, eine Vertiefung für eine Grabenisolation zweistufig herzustellen, wobei zunächst erste Gräben in einem Material hergestellt und mit einem isolierenden Material gefüllt werden. Anschließend wird das zwischen den ersten Gräben verbliebene Material zur Bildung von zweiten Gräben entfernt und ebenfalls mit einem isolierenden Material gefüllt. Die ersten und zweiten Gräben bilden zusammen die Vertiefung. Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Herstellungsverfahren anzugeben, bei dem in einer Materialschicht eine gefüllte, mindestens einige µm tiefe Vertiefung erzeugt werden kann, die einen horizontalen Querschnitt aufweist, in dem mindestens eine kreisförmige Fläche mit einem Durchmesser von einigen µm paßt. Ferner soll eine durch das Herstellungsverfahren erzeugte integrierte Schaltungsanordnung angegeben werden.

[0012] Das Problem wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und durch eine Schaltungsanordnung gemäß Anspruch 4. Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen Ansprüchen hervor.

[0013] In einem erfindungsgemäßen Verfahren werden in einem für die Vertiefung vorgesehenen Bereich der Materialschicht mindestens eine erste Struktur und mindestens eine zweite Struktur erzeugt, die seitlich aneinandergrenzen und die eine Füllung der Vertiefung bilden, und bei denen jedes ihrer Teile jeweils sich gegenüberliegende Flankenteile aufweisen, deren Abstand voneinander kleiner als etwa die Hälfte einer Tiefe der Vertiefung ist. Die Vertiefung wird nicht wie im Stand der Technik zunächst erzeugt und dann in einem Schritt gefüllt, weshalb die Abscheidung einer dicken Schicht mit all ihren Nachteilen vermieden wird. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht die Erzeugung von gefüllten tiefen Vertiefungen mit großen horizontalen Querschnitten.

[0014] Ein solches Verfahren ist für jedes technische Gebiet vorteilhaft, bei dem Vertiefungen standardmäßig mit im wesentlichen konformen Schichten gefüllt werden. Ein solches Gebiet ist beispielsweise die Halbleiterprozeßtechnik.

[0015] Die beschriebenen Abmessungen der ersten Struktur und der zweiten Struktur ermöglichen die Erzeugung dieser Strukturen durch Verfahrensschritte, die unabhängig von der Tiefe der Vertiefung sind.

[0016] Zur Erzeugung der ersten Struktur wird in einem für die Vertiefung vorgesehenen Bereich der Materialschicht zunächst mindestens eine enge Vertiefung erzeugt, indem ein Anteil der Materialschicht entfernt wird. Die enge Vertiefung weist einen kleineren horizontalen Querschnitt als die zu erzeugende Vertiefung auf und bildet einen Teil der zu erzeugenden Vertiefung. Danach werden flankenbildende schichtartige Teile der ersten Struktur erzeugt, die seitlich verdickt werden, bis die Teile aufeinanderstoßen und dadurch die erste Struktur bilden. Eine Grenzfläche zwischen den aufeinandergestoßenen Teilen befindet sich folglich im Inneren der ersten Struktur. Die erste Struktur wird entweder in der engen Vertiefung oder außerhalb der engen Vertiefung erzeugt. Die zweite Struktur wird erzeugt, indem zunächst flankenbildende schichtartige Teile der zweiten Struktur erzeugt werden, die seitlich verdickt werden, bis die Teile aufeinanderstoßen und dadurch die zweiten Struktur bilden. Durch die Erzeugung der ersten Struktur und der zweiten Struktur, die bis zum Boden der Vertiefung reichen, wird die gefüllte Vertiefung gebildet.

[0017] Die ersten Struktur und die zweite Struktur werden in entsprechenden engen Vertiefungen erzeugt, die durch Abscheiden einer im wesentlich konformen Füllschicht gefüllt werden. Die Füllschicht entsteht unter anderem zunächst auf den Flanken der engen Vertiefung und bildet dort die flankenbildenden schichtartigen Teile der Strukturen. Im weiteren Verlauf der Abscheidung verdicken sich diese Teile seitlich in Richtung Mitte der engen Vertiefung, bis gegenüberliegende der Teile aufeinanderstoßen und die enge Vertiefung gefüllt ist. Aufgrund des kleinen Abstands der Flankenteile voneinander wird die Mindestdicke der Füllschicht von diesem Abstand und nicht von der Tiefe der engen Vertiefung bestimmt. Sie beträgt lediglich die Hälfte dieses Abstands. Die Füllschicht kann deshalb eine wesentlich kleinere Dicke aufweisen als eine Dicke einer Schicht, die zum Auffüllen der gesamten Vertiefung in einem Schritt erforderlich wäre.

[0018] Die erste Struktur ist beispielsweise mäandrisch und windet sich durch die Vertiefung. In diesem Fall ist die zweite Struktur z.B. ebenfalls mäandrisch. Alternativ gibt es eine Vielzahl streifenförmiger zweiter Strukturen, die in den Windungen der ersten Struktur angeordnet sind. Für die zweiten Strukturen werden entsprechend viele enge Vertiefungen erzeugt. Es können auch eine Vielzahl erster Strukturen vorgesehen sein, die z.B. zylindrisch oder streifenförmig sind. Die beschriebenen Formen sind Beispiele aus einer unbegrenzten Anzahl von Formen, die die obengenannte Bedingung für die Flankenteile erfüllen und ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegen.

[0019] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn weitere Strukturen erzeugt werden, die zusammen mit den ersten Strukturen und den zweiten Strukturen die Vertiefung füllen.

[0020] Die erste Struktur kann in der engen Vertiefung erzeugt werden, indem die enge Vertiefung durch im wesentlichen konformes Abscheiden einer ersten Füllschicht gefüllt wird. Anschließend wird eine weitere enge Vertiefung erzeugt, indem die zwischen Flanken der ersten Struktur angeordnete Teile der Materialschicht entfernt werden. Die zweite Struktur wird erzeugt, indem die weitere enge Vertiefung durch im wesentlichen konformes Abscheiden einer zweiten Füllschicht gefüllt wird.

[0021] Damit diese zwischen den Flanken der ersten Struktur angeordneten Teile der Materialschicht entfernt werden können, ist es zweckmäßig, über den Teilen der Materialschicht liegende Teile der ersten Füllschicht zu entfernen. Die enge Vertiefung kann durch zur ersten Füllschicht selektives Ätzen der Materialschicht erzeugt werden. Die obengenannten Teile der ersten Füllschicht können durch maskiertes Ätzen entfernt werden. Alternativ wird die erste Füllschicht chemischmechanisch poliert, bis die Materialschicht freigelegt wird. In diesem Fall bedeckt eine Maske außerhalb vom für die Vertiefung vorgesehenen Bereich liegende Teile der Materialschicht bei der Erzeugung der engen Vertiefung.

[0022] Die Füllung der Vertiefung dient als Opferschicht und wird in einem späteren Prozeßschritt entfernt.

[0023] Über der gefüllten Vertiefung wird eine Deckelstruktur erzeugt, die vollständig außerhalb der Vertiefung liegt und in die eine Öffnung erzeugt wird. Unter Verwendung der öffnung wird die erste Struktur und die zweite Struktur durch Ätzen entfernt, wodurch die Vertiefung einen Hohlraum bildet. Im Stand der Technik war es bisher nur möglich solche Hohlraum bildende Vertiefungen mit großen Abmessungen durch zweiseitige Bearbeitung eines Substrats zu erzeugen, was einen erheblich größeren Prozeßaufwand erfordert.

[0024] Zur Verringerung des Prozeßaufwands ist es vorteilhaft, wenn die erste Struktur und die zweite Struktur aus demselben Material bestehen. Das Entfernen kann dann in einem Ätzschritt erfolgen. Ist der Ätzschritt isotrop, so ist es vorteilhaft, wenn die erste Struktur und die zweite Struktur selektiv zur Materialschicht ätzbar sind.

[0025] Aus der Materialschicht kann eine bewegliche Struktur erzeugt werden. Dazu wird auf einem Halbleitersubstrat eine untere Opferschicht aufgebracht und strukturiert. Auf der unteren Opferschicht wird die Materialschicht aufgebracht. Durch die Erzeugung der gefüllten Vertiefung entsteht aus der Materialschicht die Struktur, die von der Vertiefung seitlich umgeben wird. Die erste Struktur und die zweite Struktur bilden einen Teil einer oberen Opferschicht, die an die untere Opferschicht angrenzt. Dazu wird die enge Vertiefung so erzeugt, daß sie bis auf die untere Opferschicht reicht und die Materialschicht durchtrennt. Auf der oberen Opferschicht, die die Struktur bedeckt, wird die Deckelstruktur mit der Öffnung aufgebracht. Unter Verwendung der Öffnung der Deckelstruktur werden die obere Opferschicht und die untere Opferschicht entfernt, wodurch die Vertiefung einen ersten Teil des Hohlraums bildet, der mindestens weitere unterhalb und oberhalb der Struktur angeordnete Teile aufweist.

[0026] Damit die Struktur nicht völlig frei im Hohlraum beweglich ist, können Stützen oder Aufhängungen vorgesehen sein, die die Struktur mit dem Substrat oder mit der Deckelstruktur verbinden. Zur Erzeugung einer Stütze wird in der unteren Opferschicht eine Öffnung erzeugt, die bis auf das Substrat reicht. Beim Abscheiden der Materialschicht wird die Öffnung gefüllt. Die gefüllte Öffnung bildet die Stütze, die die Materialschicht mit dem Substrat verbindet. Zur Erzeugung einer Aufhängung wird in der oberen Opferschicht eine Öffnung erzeugt, die bis auf die Struktur reicht. Beim Abscheiden der Deckelstruktur wird die Öffnung gefüllt. Die gefüllte Öffnung bildet die Aufhängung, die die Struktur mit der Deckelstruktur verbindet.

[0027] Aufgrund von Fehlertoleranzen bei den Prozeßschritten werden die Strukturen, die die Füllung der Vertiefung bilden, in der Regel nicht gleich dick sein. Deshalb kann bei einer mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugten Schaltungsanordnung ein Boden der Vertiefung aneinander angrenzende Bereiche aufweisen, über denen jeweils während des Verfahrens eine der Strukturen erzeugt wurden und die in unterschiedlichen Tiefen liegen. Aufgrund der Abmessungen der Strukturen weisen jedes der Teile dieser Bereiche jeweils sich gegenüberliegende Ränder auf, deren Abstand voneinander kleiner als einige µm ist. Da ein Tiefenunterschied zwischen den Bereichen auf die Fehlertoleranzen zurückzuführen ist, ist er wesentlich kleiner als die Tiefen der Bereiche, d.h. als die Tiefen der Vertiefung. Ist keine untere Opferschicht vorgesehen, so bleibt die Form des Bodens auch dann erhalten, wenn die Strukturen beim Herstellungsverfahren entfernt wurden.

[0028] Sind die ersten Strukturen und die zweiten Strukturen streifenförmig, können erste der Bereiche des Bodens der Vertiefung streifenförmig sein, im wesentlichen parallel zueinander verlaufen und die Vertiefung durchqueren. Zweite der Bereiche des Bodens der Vertiefung sind zwischen den ersten Bereichen angeordnet. Der Boden weist in jedem ersten Bereich einen quaderförmigen flachen Vorsprung auf, der wesentlich länger als breit ist.

[0029] Eine obere Fläche der Füllschicht für die zweite Struktur weist, wenn sie nicht planarisiert wird, eine leichte Einbuchtung entlang einer Mittellinie der zugehörigen engen Vertiefung auf. Wird die Deckelstruktur auf die Füllschicht abgeschieden, so weist eine untere, der Vertiefung zugewandten Fläche der Deckelstruktur einen entsprechenden Vorsprung auf, die die Einbuchtung füllt. Der Vorsprung verjüngt sich nach unten und ist wesentlich kleiner als die Tiefe der Vertiefung.

[0030] Haben die engen Vertiefungen die Form von streifenförmigen parallel zueinander verlaufenden Gräben, entstehen bei der Abscheidung der Füllschicht für die zweiten Strukturen entlang Mittellinien der Gräben Rillen in einer oberen Fläche dieser Füllschicht. Die Deckelstruktur, die darüber abgeschieden wird, füllt die Rillen auf und weist dort folglich Vorsprünge in Form von Graten auf.

[0031] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Vertiefung eine Tiefe aufweist, die größer als ca. 5 µm ist. Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Vertiefung horizontale Abmessungen aufweist, die mehr als ca. 10 µm betragen.

[0032] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Schaltungsanordnung einen Drehratensensor oder einen Beschleunigungssensor umfaßt, bei dem die bewegliche Struktur in laterale Oszillationen versetzbar ist.

[0033] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Schaltungsanordnung ein Mikrofon umfaßt, bei dem die Vertiefung als Rückseitenvolumen dient, und bei dem die Deckelstruktur eine gelochte Elektrode ist. Als weitere Elektrode dient z.B. eine über der Deckelstruktur angeordnete Membran.

[0034] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Schaltungsanordnung ein thermischer Sensor ist. Ein Temperaturmeßpunkt ist über der Vertiefung angeordnet, damit ein Wärmefluß zwischen dem Temperaturmeßpunkt und dem Substrat möglichst klein ist.

[0035] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Schaltungsanordnung eine Hochfrequenzspule ist. Die Hochfrequenzspule ist über der Vertiefung, die mit isolierendem Material gefüllt ist, angeordnet, damit eine Kapazität zwischen der Hochfrequenzspule und dem Halbleitersubstrat möglichst klein ist.

[0036] Es liegt im Rahmen der Erfindung, wenn die Schaltungsanordnung eine Pumpe oder ein Ventil für Gase oder Flüssigkeiten ist. Die Vertiefung wirkt als Strömungskanal.

[0037] Die erste Struktur und die zweite Struktur können Oxid enthalten.

[0038] Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung, die in den Figuren dargestellt sind, näher erläutert.

Figur 1

zeigt einen Querschnitt durch ein erstes Substrat, nachdem eine untere Opferschicht, eine Schicht, eine Stütze, eine erste Maske und erste Gräben erzeugt wurden.

Figur 2

zeigt den Querschnitt aus Figur 1, nachdem als Teile einer oberen Opferschicht erste Strukturen und eine zweite Maske erzeugt wurden und Teile der ersten Maske entfernt wurden.

Figur 3

zeigt den Querschnitt aus Figur 2, nachdem Teile der Schicht entfernt wurden und als Teile der oberen Opferschicht zweite Strukturen erzeugt wurden.

Figur 4

zeigt den Querschnitt aus Figur 3, nachdem eine Dekkelschicht und eine hohlraumbildende Vertiefung durch Entfernen der oberen Opferschicht und der unteren Opferschicht erzeugt wurden.

[0039] In einem ersten Ausführungsbeispiel ist als Ausgangsmaterial ein erstes Substrat 1 aus Silizium vorgesehen.

[0040] Zur Erzeugung einer unteren Opferschicht U wird in einem TEOS-Verfahren SiO₂ in einer Dicke von ca. 1µm auf das erste Substrat, 1 abgeschieden und strukturiert (siehe Figur 1). Dabei wird in einem Teil der unteren Opferschicht U eine Aussparung erzeugt, die bis auf das erste Substrat 1 reicht.

[0041] Über der unteren Opferschicht U wird zur Erzeugung einer Materialschicht S Polysilizium in einer Dicke von ca. 5µm abgeschieden (siehe Figur 1). Dabei wird die Aussparung gefüllt, in der eine Stütze T entsteht. Zur Erzeugung einer ersten Maske 2 wird SiO₂ in einer Dicke von ca. 200nm abgeschieden und durch ein fotolithografisches Verfahren strukturiert.

[0042] Mit Hilfe der ersten Maske 2 werden in einem Bereich der Materialschicht S, in dem eine Vertiefung V erzeugt werden soll, parallel zueinander verlaufende ca. 1µm breite erste Gräben G1 erzeugt. Die ersten Gräben G1 weisen einen Abstand von ca. 1µm voneinander auf (siehe Figur 1). Die ersten Gräben G1 reichen auf die erste (untere) Opferschicht U und sind ca. 5µm tief.

[0043] Anschließend wird in einem TEOS-Verfahren eine ca. 600 nm dicke erste Füllschicht F1 aus SiO₂ abgeschieden. Teile der ersten Füllschicht F1, die die ersten Gräben G1 füllen, bilden erste Strukturen S1 (siehe Figur 2). Die Dicke der ersten Strukturen S1 entspricht etwa der Tiefe der ersten Gräben G1.

[0044] Mit Hilfe einer zweiten Maske 3 aus Fotolack, die außerhalb der zu erzeugenden Vertiefung liegende Teile der ersten Füllschicht F1 sowie die ersten Strukturen S1 bedeckt, werden im Bereich der zu erzeugenden Vertiefung V angeordnete Teile der ersten Füllschicht F1 und der ersten Maske 2 mit z. B. Flußsäure entfernt (siehe Figur 2). Anschließend wird die zweite Maske 3 entfernt.

[0045] Durch eine hochselektive Naßätzung mit z.B. Cholin werden zwischen den ersten Strukturen S1 zweite Gräben G2 erzeugt, indem freiliegende Teile der Materialschicht S selektiv zur ersten Füllschicht F1 entfernt werden.

[0046] In einem TEOS-Verfahren wird eine ca. 1µm dicke zweite Füllschicht F2 aus SiO₂ abgeschieden. Teile der zweiten Füllschicht F2, die die zweiten Gräben G2 füllen, bilden zweite Strukturen S2. Die erste Füllschicht F1 und die zweite Füllschicht F2 bilden zusammen eine obere Opferschicht. Die ersten Gräben G1 und die zweiten Gräben G2 bilden zusammen die Vertiefung V. Ein Boden der Vertiefung V weist aneinander angrenzende erste Bereiche B1 und zweite Bereiche B2 auf, bei denen jedes ihrer Teile jeweils sich gegenüberliegende Ränder aufweisen, deren Abstand voneinander kleiner als einige µm ist. Über den ersten Bereichen B1 sind jeweils eine der ersten Strukturen S1 angeordnet. Über den zweiten Bereichen B2, sind jeweils die zweiten Strukturen S2 angeordnet. Ein Boden der ersten Gräben G1 stimmt mit den ersten Bereichen B1 überein. Ein Boden der zweiten Gräben G2 stimmt mit den zweiten Bereichen B2 überein. Durch die Vertiefung V wird aus der Materialschicht S eine Halbleiterstruktur gebildet, die von der Vertiefung V seitlich umgeben wird. Die Halbleiterstruktur ist ca. 50µm breit und ca. 50µm lang. Durch die Stütze T ist sie mit dem ersten Substrat 1 verbunden. Eine obere Fläche der zweiten Füllschicht F2 weist entlang Mittellinien der zweiten Gräben G2 verlaufende Rillen auf (siehe Figur 3). Die Vertiefung V weist einen horizontalen Querschnitt auf, in dem eine kreisförmige Fläche mit einem Durchmesser von ca. 7µm paßt.

[0047] Zur Erzeugung einer Deckelstruktur D wird Polysilizium in einer Dicke von ca. 1µm abgeschieden. Die Deckelstruktur D weist im Bereich der Vertiefung V Vorsprünge a in Form von Graten auf, die in den Rillen verlaufen (siehe Figur 4).

[0048] Die sich nach unten verjüngenden Vorsprünge a sind wesentlich kleiner als die Tiefe der Vertiefung V und sind über den zweiten Bereichen B2 des Bodens der Vertiefung V angeordnet. Die Verläufe der Vorsprünge a stimmen mit den Verläufen von Mittellinien der zweiten Bereiche B2 im wesentlichen überein.

[0049] In die Deckelstruktur D wird eine Öffnung O erzeugt, durch die in einem Ätzschritt die obere Opferschicht und die untere Opferschicht U entfernt werden. Als Ätzmittel ist beispielsweise eine gepufferte Flußsäure geeignet. Die Vertiefung V bildet einen Teil eines Hohlraums, der durch die Deckelstruktur D nach oben hin begrenzt wird. Die Halbleiterstruktur läßt sich durch Erschütterungen in Schwingungen versetzen. Die laterale Bewegungsfreiheit beträgt etwa 7µm.

[0050] Die Schaltungsanordnung ist beispielsweise als Drehratensensor oder als Beschleunigungssensor geeignet. Dazu sind weitere Bauelemente im ersten Substrat 1 angeordnet.

[0051] Es sind viele Variationen des Ausführungsbeispiels denkbar, die ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegen. So können Abmessungen der Strukturen, Schichten und Halbleiterstrukturen an die jeweiligen Erfordernisse angepaßt werden. Vertiefungen, die durch das beschriebene Verfahren hergestellt werden, können auch für andere Schaltungsanordnungen verwendet werden. Solche Schaltungsanordnungen sind beispielsweise Mikrofone, thermische Sensoren, Pumpen und Ventile für Gase oder Flüssigkeiten und integrierte Hochfrequenzspulen.

Ansprüche

1. Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsanordnung umfassend einen Hohlraum in einer Materialschicht (S),

- bei dem ausgehend von der Materialschicht (S) in einem für eine Vertiefung (V) vorgesehenen Bereich ein Anteil der Materialschicht (S) entfernt wird, bis der Boden der Vertiefung (V) in diesem Bereich freigelegt wird, wodurch mindestens eine enge Vertiefung (G1) erzeugt wird, die einen kleineren horizontalen Querschnitt als die zu erzeugende Vertiefung (V) aufweist und Teil der zu erzeugenden Vertiefung (V) bildet,

- bei dem die mindestens eine enge Vertiefung (G1) durch eine für einen Teil der Füllung der Vertiefung (V) vorgesehene erste Struktur (S1) ersetzt wird, indem eine erste Füllschicht (F1) im wesentlichen konform abgeschieden wird, wobei die in der engen Vertiefung (G1) gebildete erste Struktur (S1) gegenüberliegende Flankenteile aufweist, deren Abstand voneinander kleiner als die Hälfte der Tiefe der Vertiefung (V) ist und wobei die Dicke der Füllschicht (F1) weniger als die Hälfte der Tiefe der Vertiefung (V) beträgt,

- bei dem der restliche Anteil der Materialschicht (S) im dem für die Vertiefung (V) vorgesehenen Bereich entfernt wird, wodurch zumindest eine weitere enge Vertiefung (G2) erzeugt wird,

- bei dem die zumindest eine weitere enge Vertiefung (G2) durch eine für einen weiteren Teil der Füllung der Vertiefung (V) vorgesehene und an die erste Struktur (S1) seitlich angreuzende zweite Struktur (S2) ersetzt wird, indem eine zweite Füllschicht (F2) im wesentlichen konform abgeschieden wird, wobei die in der weiteren engen Vertiefung (G2) gebildete zweite Struktur (S2) gegenüberliegende Flankenteile aufweist, deren Abstand voneinander kleiner als die Hälfte der Tiefe der Vertiefung (V) ist und wobei die Dicke der Füllschicht (F2) weniger als die Hälfte der Tiefe der Vertiefung (V) beträgt,

- dadurch gekennzeichnet, daß die erste Struktur (S1) und die zweite Struktur (S2) als Teile einer oberen Opferschicht erzeugt werden,

- auf der oberen Opferschicht eine Deckelstruktur (D) aufgebracht wird,

- in der Deckelstruktur (D) mindestens eine Öffnung (O) erzeugt wird, unter deren Verwendung die obere Opferschicht mit einem Ätzmittel entfernt wird, wodurch die Vertiefung (V) dem Hohlraum bildet.

2. Verfahren nach Anspruch 1,

- bei dem mehrere erste Strukturen (S1) und zweite Strukturen (S2) erzeugt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,

- bei dem auf einem Halbleitersubstrat (1) eine untere Opferschicht (U) aufgebracht und strukturiert wird,

- bei dem auf der unteren Opferschicht (U) die Materialschicht (S) aufgebracht wird,

- bei dem die engen Vertiefungen (G1, G2) so erzeugt werden, daß sie bis auf die untere Opferschicht (U) reichen und die Materialschicht (S) durchtrennen,

- bei dem unter Verwendung der Öffnung (O) der Deckelstruktur (D) die obere Opferschicht und die untere Opferschicht (U) durch das Ätzmittel entfernt werden, wodurch die Vertiefung (V) einen Teil des Hohlraums bildet, der mindestens einen unterhalb der Materialschicht (S) angeordneten weiteren Teil aufweist.

4. Integrierte Schaltungsanordnung,

- bei der in einer Materialschicht (S) eine mindestens einige µm tiefe Vertiefung (V) angeordnet ist, die einen horizontalen Querschnitt aufweist, in dem mindestens eine kreisförmige Fläche mit einem Durchmesser von einigen µm paßt,

- bei der über und außerhalb der Vertiefung (V), die zumindest einen Teil eines Hohlraums bildet, eine Deckelstruktur (D) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß

- ein Boden der Vertiefung (V) aneinander angrenzende Bereiche (B1, B2) aufweist, die jeweils sich gegenüberliegende Ränder aufweisen, deren Abstand voneinander kleiner als einige µm ist,

- eine untere, der Vertiefung (V) zugewandten Fläche der Deckelstruktur (D) mindestens einen sich nach unten verjüngenden Vorsprung (a) aufweist, der wesentlich kleiner als die Tiefe der Vertiefung (V) ist und über einem der Bereiche (B2) des Bodens der Vertiefung (V) angeordnet ist, und dessen Verlauf mit dem Verlauf einer Mittellinie jenes Bereichs (B2) im wesentlichen übereinstimmt.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4,

- die eines von folgenden Bauelementen umfaßt:

1. Drehratensensor oder Beschleunigungssensor, bei dem eine Halbleiterstruktur, die in laterale Oszillationen versetzbar ist, von der Vertiefung, die Teil eines Hohlraums bildet, seitlich umgeben ist,

2. Mikrofon, bei dem die Vertiefung als Rückseitenvolumen dient, und die Deckelstruktur eine gelochte Elektrode ist.

Claims

1. Method for producing an integrated circuit arrangement comprising a cavity in a material layer (S),

- in which, starting from the material layer (S), a portion of the material layer (S) is removed in a region provided for a recess (V) until the bottom of the recess (V) is exposed in this region, as a result of which at least one narrow recess (G1) is produced which has a smaller horizontal cross section than the recess (V) to be produced and forms part of the recess (V) to be produced,

- in which the at least one narrow recess (G1) is replaced by a first structure (S1), provided for part of the filling in the recess (V), by depositing a first filling layer (F1) essentially conformally, the first structure (S1) formed in the narrow recess (G1) having opposite side parts whose distance from one another is less than half the depth of the recess (V), and the thickness of the filling layer (F1) being less than half the depth of the recess (V),

- in which the remaining portion of the material layer (S) is removed in the region provided for the recess (V), as a result of which at least one further narrow recess (G2) is produced,

- in which the at least one further narrow recess (G2) is replaced by a second structure (S2), provided for a further part of the filling in the recess (V) and laterally adjacent to the first structure (S1), by depositing a second filling layer (F2) essentially conformally, the second structure (S2) formed in the further narrow recess (G2) having opposite side parts whose distance from one another is less than half the depth of the recess (V), and the thickness of the filling layer (F2) being less than half the depth of the recess (V),

characterized in that

- the first structure (S1) and the second structure (S2) are produced as parts of a top sacrificial layer,

- a cover structure (D) is applied on the top sacrificial layer,

- at least one opening (O) is produced in the cover structure (D) and is used to remove the top sacrificial layer with an etchant, as a result of which the recess (V) forms the cavity.

2. Method according to Claim 1,

- in which a plurality of first structures (S1) and second structures (S2) are produced.

3. Method according to Claim 1 or 2,

- in which a bottom sacrificial layer (U) is applied on a semiconductor substrate (1) and is patterned,

- in which the material layer (S) is applied on the bottom sacrificial layer (U),

- in which the narrow recesses (G1, G2) are produced such that they extend as far as the bottom sacrificial layer (U) and cut through the material layer (S),

- in which the opening (O) in the cover structure (D) is used to remove the top sacrificial layer and the bottom sacrificial layer (U) using the etchant, as a result of which the recess (V) forms part of the cavity, which has at least one further part arranged below the material layer (S).

4. Integrated circuit arrangement,

- in which a material layer (S) contains a recess (V) which is at least a few µm deep and has a horizontal cross section in which at least one circular plane having a diameter of a few µm fits,

- in which a cover structure (V) is arranged above and outside the recess (V), which forms at least part of a cavity, characterized in that

- a bottom of the recess (V) has mutually adjacent regions (B1, B2) each having opposite edges whose distance from one another is shorter than a few µm,

- a bottom face of the cover structure (D) which faces the recess (V) has at least one projection (a) which tapers toward the bottom, is much smaller than the depth of the recess (V) and is arranged above one of the regions (B2) on the bottom of the recess (V), and whose path essentially coincides with the path of a center line of that region (B2).

5. Circuit arrangement according to Claim 4,

- which encompasses one of the following components;

1. Rotation rate sensor or acceleration sensor in which a semiconductor structure which can be made to oscillate laterally is surrounded at the sides by the recess, which forms part of a cavity,

2. Microphone in which the recess serves as a rear volume and the cover structure is a perforated electrode.

Revendications

1. Procédé de production d'un circuit intégré comprenant une cavité dans une couche ( S ) de matériau,

- dans lequel, à partir de la couche ( S ) de matériau, on élimine, dans une zone prévue pour une cavité ( V ), une certaine proportion de la couche ( S ) de matériau jusqu'à ce que le fond de la cavité ( V ) soit mis à nu dans cette région, en produisant ainsi au moins une cavité ( G1 ) étroite, qui a une section transversale horizontale plus petite que la cavité ( V ) à produire et qui forme une partie de la cavité ( V ) à produire,

- dans lequel on remplace la au moins une cavité ( G1 ) étroit par une première structure ( S1 ) prévue pour une partie du remplissage de la cavité ( V ) en déposant de manière sensiblement conforme une première couche ( F1 ) de remplissage, la première structure ( S1 ) formée dans la cavité ( G1 ) étroite ayant des parties de flanc opposées, dont la distance mutuelle est plus petite que la moitié de la profondeur de la cavité ( V ) et l'épaisseur de la couche ( F1 ) de remplissage représentant moins de la moitié de la profondeur de la cavité ( V ),

- dans lequel on élimine la proportion restante de la couche ( S ) de matériau dans la région prévue pour la cavité ( V ), en produisant ainsi au moins une autre cavité ( G2 ) étroite,

- dans lequel on remplace la au moins une autre cavité ( G2 ) étroite par une deuxième structure ( S2 ) prévue pour une autre partie du remplissage de la cavité ( V ) et voisine latéralement de la première structure ( S1 ) en déposant de manière sensiblement conforme une deuxième couche ( F2 ) de remplissage, la deuxième structure ( S2 ) formée dans l'autre cavité ( G2 ) étroite ayant des parties de flanc opposées, dont la distance mutuelle est plus petite que la moitié de la profondeur de la cavité ( V ) et l'épaisseur de la couche ( F2 ) de remplissage représentant moins que la moitié de la profondeur de la cavité ( V ),

caractérisé en ce que

- on produit la première structure ( S1 ) et la deuxième structure ( S2 ) en tant que parties d'une couche sacrificielle supérieure,

- on dépose une structure ( D ) de couvercle sur la couche sacrificielle supérieure,

- on produit dans la structure ( D ) de couvercle au moins une ouverture ( O ) par l'utilisation de laquelle on élimine la couche sacrificielle supérieure au moyen d'un agent d'attaque, de sorte que la cavité ( V ) forme l'évidement.

2. Procédé suivant la revendication 1,
dans lequel on produit plusieurs premières structures ( S1 ) et deuxièmes structures ( S2 ).

3. Procédé suivant la revendication 1 ou 2,

- dans lequel on dépose et structure une couche ( U ) sacrificielle inférieure sur un substrat ( 1 ) semi-conducteur,

- dans lequel on dépose la couche ( S ) de matériau sur la couche ( U ) sacrificielle inférieure,

- dans lequel on produit les cavités ( G1, G2 ) étroites, de façon à ce qu'elles aillent jusqu'à la couche ( U ) sacrificielle inférieure et séparent la couche ( S ) de matériau,

- dans lequel, en utilisant l'ouverture ( O ) de la structure ( D ) de couvercle, on élimine la couche sacrificielle supérieure et la couche ( U ) sacrificielle inférieure par l'agent d'attaque, la cavité ( V ) formant ainsi une partie de l'évidemment, qui a au moins une autre partie disposée en dessous de la couche ( S ) de matériau.

4. Circuit intégré

- dans lequel il est disposé, dans une couche ( S ) de matériau, une cavité ( V ) d'une profondeur d'au moins quelques µm, qui a une section transversale horizontale dans laquelle s'adapte au moins une surface circulaire ayant un diamètre de quelques µm,

- dans lequel il est disposé, au-dessus et à l'extérieur de la cavité ( V ) qui forme au moins une partie d'un évidement, une structure ( D ) de couvercle, caractérisé en ce que

- un fond de la cavité ( V ) a des parties ( B1, B2 ) voisines l'une de l'autre qui ont respectivement des bords opposés dont la distance mutuelle est plus petite que quelques µm,

- une surface inférieure de la structure ( D ) de couvercle qui est tournée vers la cavité ( V ) a au moins une saillie ( a ) se retrécissant vers le bas, sensiblement plus petite que la profondeur de la cavité ( V ) et disposée au-dessus de l'une des parties ( B2 ) du fond de la cavité ( V ) et dont le tracé coïncide sensiblement avec le tracé d'une ligne médiane de chaque partie ( B2 ).

5. Circuit suivant la revendication 4,

- qui comprend l'un des composants suivants :

1. un capteur de vitesse de rotation ou un capteur d'accélération, dans lequel une structure à semi-conducteur, qui peut être déplacée suivant des oscillations latérales, est entourée latéralement par la cavité qui forme une partie d'un évidement,

2. un microphone dans lequel la cavité sert de volume latéral arrière et la structure de couvercle est une électrode trouée.

Zeichnung