(19)
(11) EP 1 115 895 A1

(12)

(43) Date de publication:
18.07.2001  Bulletin  2001/29

(21) Numéro de dépôt: 99943005.1

(22) Date de dépôt:  20.09.1999
(51) Int. Cl.7: C23C 8/28, C23C 28/04
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR9902/228
(87) Numéro de publication internationale:
WO 0017/412 (30.03.2000 Gazette  2000/13)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

(30) Priorité: 21.09.1998 FR 9811746

(71) Demandeurs:
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
    75752 Paris Cédex 15 (FR)
  • FRANCE TELECOM
    75015 Paris (FR)

(72) Inventeurs:
  • MARTIN, François
    F-38000 Grenoble (FR)
  • BENSAHEL, Daniel
    F-38000 Grenoble (FR)
  • HERNANDEZ, Caroline
    F-38000 Grenoble (FR)
  • VALLIER, Laurent
    F-38240 Meylan (FR)

(74) Mandataire: Weber, Etienne Nicolas et al
c/o Société de Protection des Inventions,3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) PROCEDE DE TRAITEMENT, PAR NITRURATION, D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE ISOLANTE MINCE