[0001] Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Dämpfung von Störspannungen mit einem
Magnetkern und wenigstens einer um den Magnetkern gewickelten Drosselspule mit einer
Vielzahl von Windungen.
[0002] Derartige Vorrichtungen sind beispielsweise aus der DE 3112296, DE 3220737 und EP0635853
bekannt und werden häufig dazu verwendet, das Einspeisen von Störspannungen durch
Netzverbraucher ins Netz zu unterdrücken. Für eine gute Dämpfungswirkung ist es erforderlich,
eine möglichst hohe Impedanz der Drossel in einem möglichst breiten Frequenzbereich
zu erzielen.
[0003] Insbesondere beschreibt DE-A-3 112 296 eine Vorrichtung zur Dämpfung von Störspannungen
gemäss dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
[0004] Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde,
eine Vorrichtung zur Dämpfung von Störspannungen zu schaffen, die eine hohe Impedanz
in einem breiten definierten Frequenzbereich aufweist.
[0005] Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch Anspruch 1 gelöst. Ausgestaltungen und weiter
bildungen sind. Gegenstand von Unteransprüchen.
[0006] Da jede Drosselspule eng gewickelte Wicklungsabschnitte umfaßt, ist die Zahl der
Windungen insgesamt hoch, so daß sich ein hoher Wert für die Induktivität der Vorrichtung
ergibt. Andererseits wird die Kapazität der Drosselspule durch die weit gewickelten
Wicklungsabschnitte bestimmt, so daß sich insgesamt ein kleiner Kapazitätswert für
jede Drosselspule ergibt. Beides hat zur Folge, daß die aufgrund der Induktivität
und der Kapazität auftretenden Resonanzen eine große Bandbreite und einen großen Maximalwert
für die Impedanz aufweisen. Durch eine geeignete Dimensionierung ist es dabei möglich,
die Resonanzfrequenzen der Vorrichtung auf Werte zu legen, bei denen das Spektrum
der Störsignale Maxima aufweist, und auf diese Weise die Unterdrückung der Störungssignale
zu optimieren.
[0007] Weitere Ausführungsbeispiele und vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen
angegeben.
[0008] Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel anhand der Zeichnung im einzelnen beschrieben.
Es zeigen:
- Figur 1
- eine Draufsicht auf eine stromkompensierte Drossel;
- Figur 2
- den Impedanzverlauf der Drossel aus Figur 1, aufgetragen über die Frequenz;
- Figur 3
- ein Ersatzschaltbild für eine der Drosselspulen der Drossel aus Figur 1;
- Figur 4
- ein Prinzipschaltbild für die Drossel aus Figur 1; und
- Figur 5
- eine Darstellung des Verlaufs des Verhältnisses von Induktivität zur Kapazität in
Abhängigkeit von der Resonanzfrequenz für eine ideelle und eine reelle Drossel.
[0009] Figur 1 zeigt eine stromkompensierte Drossel 1, die einen Ringkern 2 aufweist. Auf
den Ringkern 2 sind Drosselspulen 3 aufgewickelt, die über eng gewickelte Spulensektoren
4 sowie über Wicklungslücken 5 verfügen.
[0010] Die stromkompensierte Drossel 1 dient dazu, auf Netzleitungen entstehende asymmetrische
Störspannungen zu unterdrücken. Dabei soll der Nennstrom die Drossel 1 nicht in Sättigung
treiben. Zu diesem Zweck wird die Drossel 1 über Anschlußleitungen 6 so an Netzleitungen
angeschlossen, daß sich der vom Nennstrom in den beiden Drosselspulen 3 erzeugte Fluß
im Ringkern 2 zu Null kompensiert.
[0011] Zur Unterdrückung asymmetrischer Störspannungen ist es nun erforderlich, daß die
Drossel 1 in einem möglichst weiten Frequenzbereich eine möglichst hohe Impedanz aufweist.
[0012] Figur 2 stellt mit einer gestrichelten Linie 7 den Verlauf der Impedanz einer in
der Zeichnung nicht dargestellten Drossel ohne Wicklungslücke 5 dar. Im Vergleich
dazu ist in Figur 2 mit einer durchgezogenen Kurve 8 der Impedanzverlauf der Drossel
1 dargestellt. Aus Figur 2 wird deutlich, daß die Impedanzkurve 8 ein größeres Impedanzmaximum
aufweist als die Impedanzkurve 7. Auch die Halbwertsbreiten der Resonanzen sind bei
der Impedanzkurve 8 größer als bei der Impedanzkurve 7. Im Vergleich zu einer Drossel
ohne Wicklungslücke weist somit die Drossel 1 mit der Wicklungslücke 5 bei gleicher
Windungszahl und gleichem Ringkern höhere Werte für die Impedanz in einem größeren
Frequenzbereich auf.
[0013] Dieser Effekt soll nun anhand Figur 3 bis 5 weiter erläutert werden.
[0014] Figur 3 zeigt ein Ersatzschaltbild für die Drosselspule 3. Die Induktivitäten L1
bis L3 sowie L5 bis L7 veranschaulichen die Induktivität der Windungen in den Spulensektoren
4 , wohingegen die Induktivität L4 die Induktivität der Wicklungslücke 5 darstellt.
Die Widerstände R1 bis R7 stehen für die Leitungswiderstände der Windungen. In gleicher
Weise stellen die Kapazitäten Cw1 bis Cw3 sowie Cw5 bis Cw7 die Kapazitäten zwischen
nebeneinanderliegenden Windungen in den Spulensektoren 4 dar. Die Kapazität Cw4 schließlich
deutet die Kapazität der Wicklungslücke 5 an. Ferner ist in Figur 3 berücksichtigt,
daß der Ringkern 2 kein Isolator ist, was in Figur 3 durch die Widerstände R12 bis
R78 angedeutet ist. Insbesondere hochfrequente Spannungskomponenten koppeln über Kondensatoren
Ck1 bis Ck8 in den Ringkern 2 ein.
[0015] Da die Kapazität Cw4 der Drosselspule 3 im Bereich der Wicklungslücke 5 wesentlich
kleiner als die Kapazitäten Cw1 bis Cw3 sowie Cw5 bis Cw7 ist, ist die Kapazität der
Drosselspule 3 im wesentlichen gleich der Kapazität Cw4 der Drosselspule 3 in der
Wicklungslücke 5. Die Induktivität der Drosselspule 3 ist jedoch gleich der Summe
der Induktivitäten L1 bis L7.
[0016] Der sich aufgrund der Verkleinerung der Kapazität Cw4 ergebende Effekt läßt sich
nun anhand des in der Figur 4 dargestellten Prinzipschaltbildes erklären.
[0017] In Figur 4 steht die Induktivität L für die Summe der Induktivitäten L1 bis L7 in
Figur 3. Vor der Induktivität L ist in Figur 4 ein Leitungswiderstand R
L eingezeichnet, zu dem eine Kapazität C parallel geschaltet ist. Der Wert der Kapazität
C entspricht im wesentlichen dem Wert der Kapazität Cw4 aus Figur 3. Außerdem ist
zum Widerstand R
L und der Induktivität L der Drosselspule 3 eine Impedanz R
P parallel geschaltet, die den über den Ringkern 2 führenden Strompfad verdeutlicht.
[0018] Das in Figur 4 dargestellte Prinzipschaltbild ist das Prinzipschaltbild eines verlustbehafteten
Parallelschwingkreises. Für den Fall, daß R
P wesentlich größer als R
L ist, gilt für die Bandbreite

wobei Δf die Bandbreite und f
0 die Resonanzfrequenz ist. Daraus ergibt sich, daß die Bandbreite zumindest bei verschwindendem
Leitungswiderstand R
L und endlichem Parallelwiderstand R
P mit zunehmendem Verhältnis von Induktivität L zu Kapazität C wächst. Demnach ist
es für eine große Bandbreite erforderlich, die Induktivität der Drosselspule 3 möglichst
groß und die Kapazität C der Drosselspule 3 möglichst klein zu machen.
[0019] Für die Impendanz bei der Resonanzfrequenz ergibt sich unter der Bedingung, daß R
P sehr viel größer als R
L ist, die Formel

[0020] Anhand dieser Formel wird deutlich, daß der Resonanzwiderstand ebenfalls mit wachsendem
Verhältnis von Induktivität L zu Kapazität C zunimmt. Um große Maximalwerte bei den
Resonanzfrequenzen für die Impendanz zu erzielen, ist es demnach wiederum erforderlich,
die Induktivität L möglichst groß und die Kapazität C möglichst klein werden zu lassen.
[0021] Anhand der beiden Formeln wird auch deutlich, daß der beschriebene Effekt von gleichzeitiger
Erhöhung von Bandbreite und Resonanzwiderstand nur auftritt, wenn der Parallelwiderstand
R
P nicht allzu hohe Werte annimmt. Da die spezifischen Widerstände von Ferriten wesentlich
größer als die spezifischen Widerstände von weichmagnetischen nanokristallinen Legierungen
sind, sind die beschriebenen Effekte bei mit Ferritkernen ausgestatteten Drosselspulen
wesentlich schwächer. Unter einer weichmagnetischen nanokristallinen Legierung werden
dabei beispielsweise die aus der EP 0 271 657 B1 bekannten Legierungen verstanden.
[0022] Figur 5 schließlich zeigt, wie sich das Verhältnis von L zu C entwickelt, wenn bei
einer gegebenen Drosselspule durch Verringern der Kapazität C die Resonanzfrequenz
f
0 erhöht wird, wobei in Figur 5 eine gestrichelte Linie 9 den idealen Fall einer von
der Frequenz unabhängigen Induktivität darstellt, während die durchgezogene Kurve
10 aufgrund von Meßwerten für die Induktivität einer Drosselspule berechnet wurde.
Man erkennt in Figur 5 den in der doppellogarithmischen Darstellung geradlinigen Anstieg
des Verhältnisses der idealen frequenzunabhängigen Induktivität L zur Kapazität C.
Die aus Meßwerten errechnete Kurve verläuft zwischen 100 Hz und 30 kHz im wesentlichen
parallel zur idealen Kurve 9, um dann aufgrund der bei hohen Frequenzen kleiner werdenden
Induktivitäten oberhalb von 30 kHz abzuflachen und schließlich für Frequenzen über
10 MHz abzufallen. Bis zu diesem oberen Grenzwert ist es somit bei der vermessenen
Drosselspule 3 möglich, durch Ausbilden einer Wicklungslücke 5 die Kapazität der Drosselspule
3 zu verringern und dadurch den Maximalwert und die Bandbreite der Resonanzen zu erhöhen.
[0023] Durch eine geeignete Dimensionierung von Windungszahlen und Abmessungen von Spulensektoren
4 ist es dabei möglich, in Frequenzbereichen, in denen die Störsignale starke Frequenzkomponenten
aufweisen, Resonanzen der Drosselspule 3 zu legen und auf diese Weise die in diesem
Frequenzbereich auftretenden Störsignale auf wirksame Weise zu unterdrücken.
[0024] Dabei ist jedoch zu beachten, daß insbesondere bei hohen Frequenzen die Drosselspule
3 über den Ringkern 2 kurzgeschlossen wird. Dies läßt sich vermeiden, indem die Spulensektoren
4 mehrlagig ausgeführt werden und im äußersten Fall durch Haufenwicklungen ersetzt
werden. Aufgrund des größeren Abstands zum Kern koppeln die äußeren Lagen der Haufenwicklung
nicht mehr kapazitiv mit dem Ringskern 2, so daß die Drosselspule 3 auch bei hohen
Frequenzen nicht über den Ringkern 2 kurzgeschlossen wird. Durch die Haufenwicklung
ergibt sich außerdem eine Drosselspule mit großer Induktivität bei gleichzeitig sehr
kleiner Kapazität.
[0025] Es sei angemerkt, daß die ausgeführten Erläuterungen nicht nur für stromkompensierte
Drosseln mit zwei Phasen gelten, sondern auch für Drosseln mit drei oder mehr Phasen
uneingeschränkt gültig sind.
1. Vorrichtung zur Dämpfung von Störspannungen mit einem Magnetkern (2) und wenigstens
zwei um den Magnetkern gewickelten Drosselspulen (3) mit jeweils einer Vielzahl von
Windungen,
wobei sich entlang jeder Drosselspule (3) eng gewickelte Wicklungsabschnitte (4) mit
weit gewickelten Wicklungsabschnitten (5) abwechseln,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Magnetkern (2) aus einer weichmagnetischen nanokristallinen Legierung gefertigt
ist und
daß die eng gewickelten Wicklungsabschnitte (4) der jeweiligen Drosselspule (3) nur durch
die weit gewickelten Wicklungsabschnitte (5) getrennt nebeneinander liegen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Magnetkern ein Ringkern (2) ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß drei Drosselspulen (3) auf den Magnetkern (2) aufgebracht sind.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Drosselspulen (3) sektoriert auf den Magnetkern (2) aufgewickelt sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß jede Drosselspule (3) mehrlagig um den Magnetkern (2) gewickelt ist.
1. Device for attenuating interference voltages comprising a magnetic core (2) and at
least two choke coils (3) each with multiple turns wound around the magnetic core,
tightly wound winding sections (4) alternating with loosely wound winding sections
(5) along each choke coil (3), characterised in that the magnetic core (2) is made from a soft-magnetic nanocrystalline alloy and that
the tightly wound winding sections (4) of the respective choke coil (3) are contiguous,
separated only by the loosely wound winding sections (5).
2. Device according to claim 1, characterised in that the magnetic core is a toroidal core (2).
3. Device according to claim 1 or claim 2, characterised in that three choke coils (3) are mounted on the magnetic core (2).
4. Device according to one of claims 1 to 3, characterised in that the choke coils (3) are wound on to the magnetic core (2) in sectors.
5. Device according to one of claims 1 to 4, characterised in that each choke coil (3) is wound around the magnetic core (2) in multiple layers.
1. Dispositif pour amortir des tensions parasites comportant un noyau magnétique (2)
et au moins deux bobines de self (3) enroulées autour du noyau, chaque enroulement
ayant un grand nombre de spires et les segments d'enroulement (4) enroulés étroitement
le long de chaque bobine de self (3) alternent avec des segments d'enroulement à enroulement
large (5),
caractérisé en ce que
le noyau magnétique (2) est fabriqué en un alliage nanocristallin à aimantation douce
et
les segments d'enroulement (4) à enroulement étroit de chaque bobine d'enroulement
respective (3) sont juxtaposés en étant seulement séparés par des segments à enroulement
large (5).
2. Dispositif selon la revendication 1,
caractérisé en ce que
le noyau magnétique est un noyau annulaire (2).
3. Dispositif selon les revendications 1 ou 2,
caractérisé par
trois bobines (3) montées sur le noyau magnétique (2).
4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3,
caractérisé en ce que
les bobines (3) sont enroulées par secteur sur le noyau magnétique (2).
5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4,
caractérisé en ce que
chaque bobine (3) est enroulée sur plusieurs couches autour du noyau magnétique (2).