(19)
(11) EP 1 145 324 A3

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
28.09.2000

(43) Veröffentlichungstag A2:
17.10.2001  Patentblatt  2001/42

(21) Anmeldenummer: 00920348.0

(22) Anmeldetag:  01.03.2000
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H01L 29/78, H01L 21/336
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0000/621
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0057/481 (28.09.2000 Gazette  2000/39)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

(30) Priorität: 24.03.1999 DE 19913375

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • HIRLER, Franz
    D-84424 Isen (DE)
  • WERNER, Wolfgang
    D-81545 München (DE)

(74) Vertreter: Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf. 
Patentanwalt,Postfach 22 13 17
80503 München
80503 München (DE)

 
Bemerkungen:
Derzeit sind die WIPO-Publikationsdaten A3 nicht verfügbar.
 


(54) MOS-TRANSISTORSTRUKTUR MIT EINER TRENCH-GATE-ELEKTRODE UND EINEM VERRINGERTEN SPEZIFISCHEN EINSCHALTWIDERSTAND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MOS-TRANSISTORSTRUKTUR