(19)
(11) EP 1 145 328 B8

(12) KORRIGIERTE EUROPÄISCHE PATENTSCHRIFT
Hinweis: Bibliographie entspricht dem neuesten Stand

(15) Korrekturinformation:
Korrigierte Fassung Nr.  1 (W1 B1)

(48) Corrigendum ausgegeben am:
17.06.2009  Patentblatt  2009/25

(45) Hinweis auf die Patenterteilung:
01.04.2009  Patentblatt  2009/14

(21) Anmeldenummer: 99967886.5

(22) Anmeldetag:  17.12.1999
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC): 
H01L 29/808(2006.01)
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE1999/004019
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2000/038246 (29.06.2000 Gazette  2000/26)

(54)

SPERRSCHICHT-FELDEFFEKTTRANSISTOR MIT HOCH DOTIERTEN VERBINDUNGSGEBIETEN

JUNCTION-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH HIGHLY DOPED CONNECTING AREAS

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DOTE D'UNE COUCHE D'APPAUVRISSEMENT ET DE ZONES DE CONNEXION HAUTEMENT DOPEES

(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

(30) Priorität: 22.12.1998 DE 19859502

(43) Veröffentlichungstag der Anmeldung:
17.10.2001  Patentblatt  2001/42

(73) Patentinhaber: SiCED Electronics Development GmbH & Co KG
91058 Erlangen (DE)

(72) Erfinder:
  • TIHANYI, Jenö
    D-85551 Kirchheim (DE)
  • MITLEHNER, Heinz
    D-91080 Uttenreuth (DE)
  • STEPHANI, Dietrich
    D-91088 Bubenreuth (DE)

(74) Vertreter: Maier, Daniel Oliver et al
Siemens AG CT IP Com E Postfach 22 16 34
80506 München
80506 München (DE)


(56) Entgegenhaltungen: : 
EP-A- 0 732 734
DE-A- 4 309 764
 WO-A-98/49733
US-A- 5 323 040
   
  • SHENOY P M ET AL: "A NOVEL P+ POLYSILICON/N-SIC HETEROJUNCTION TRENCH GATE VERTICAL FET" IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS,US,NEW YORK, NY: IEEE, Bd. CONF. 9, 1997, Seiten 365-368, XP000800222 ISBN: 0-7803-3994-0
   
Anmerkung: Innerhalb von neun Monaten nach der Bekanntmachung des Hinweises auf die Erteilung des europäischen Patents kann jedermann beim Europäischen Patentamt gegen das erteilte europäischen Patent Einspruch einlegen. Der Einspruch ist schriftlich einzureichen und zu begründen. Er gilt erst als eingelegt, wenn die Einspruchsgebühr entrichtet worden ist. (Art. 99(1) Europäisches Patentübereinkommen).