PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM DE FAIBLE EPAISSEUR SUR UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET MACHINE A DEUX REACTEURS - Patent 1183717

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EP 1 183 717 A1

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(43)	Date de publication:
	06.03.2002 Bulletin 2002/10

(21)	Numéro de dépôt: 00927311.1

(22)	Date de dépôt: 03.05.2000

(51)	Int. Cl.⁷: H01L 21/28, H01L 21/316, H01L 21/306

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR0001/181

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 0068/981 (16.11.2000 Gazette 2000/46)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE
	Etats d'extension désignés:
	AL LT LV MK RO SI

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Priorité:

07.05.1999 FR 9905834

(71)	Demandeur: X-Ion
	75116 Paris (FR)

(72)	Inventeurs:
	KORWIN-PAWLOWSKI, Michael F-75016 Paris (FR) LAZZARI, Jean-Pierre F-38700 Corenc (FR) BORSONI, Gilles F-91190 Gif Sur Yvette (FR)

(74)	Mandataire: Doireau, Marc et al
	Cabinet Orès 6, avenue de Messine 75008 Paris 75008 Paris (FR)

(54)	PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM DE FAIBLE EPAISSEUR SUR UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET MACHINE A DEUX REACTEURS