PROCEDE DE NETTOYAGE D'UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET APPLICATION A LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES INTEGRES - Patent 1183720

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EP 1 183 720 A1

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(43)	Date de publication:
	06.03.2002 Bulletin 2002/10

(21)	Numéro de dépôt: 00925372.5

(22)	Date de dépôt: 03.05.2000

(51)	Int. Cl.⁷: H01L 21/306, H01L 21/316

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR0001/182

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 0068/984 (16.11.2000 Gazette 2000/46)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE
	Etats d'extension désignés:
	AL LT LV MK RO SI

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Priorité:

07.05.1999 FR 9905835

(71)	Demandeur: X-Ion
	75116 Paris (FR)

(72)	Inventeurs:
	KORWIN-PAWLOWSKI, Michael F-75016 Paris (FR) LAZZARI, Jean-Pierre F-38700 Corenc (FR) BORSONI, Gilles F-91190 Gif sur Yvette (FR) FROMENT, Michel F-91290 La Norville (FR)

(74)	Mandataire: Doireau, Marc et al
	Cabinet Orès 6, avenue de Messine 75008 Paris 75008 Paris (FR)

(54)	PROCEDE DE NETTOYAGE D'UNE SURFACE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET APPLICATION A LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES INTEGRES