(19)
(11) EP 1 192 649 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
03.04.2002  Patentblatt  2002/14

(21) Anmeldenummer: 00952877.9

(22) Anmeldetag:  28.06.2000
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/3205, H01L 21/768, H01L 23/532, H01L 21/331
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0002/098
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0106/554 (25.01.2001 Gazette  2001/04)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

(30) Priorität: 01.07.1999 DE 19930420

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • BÖCK, Josef
    D-80807 München (DE)

(74) Vertreter: Ginzel, Christian et al
Zimmermann & Partner,Postfach 33 09 20
80069 München
80069 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIERTEN POLYSILIZIUMKONTAKTEN IN INTEGRIERTEN HALBLEITERSTRUKTUREN