VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HOCHVOLTTAUGLICHEN RANDABSCHLUSSES BEI EINEM NACH DEM PRINZIP DER LATERALEN LADUNGSKOMPENSATION VORGEFERTIGTEN GRUNDMATERIALWAFER - Patent 1210735

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EP 1 210 735 A1

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(43)	Veröffentlichungstag:
	05.06.2002 Patentblatt 2002/23

(21)	Anmeldenummer: 00960616.1

(22)	Anmeldetag: 06.09.2000

(51)	Internationale Patentklassifikation (IPC)⁷: H01L 29/06

(86)	Internationale Anmeldenummer:
	PCT/EP0008/708

(87)	Internationale Veröffentlichungsnummer:
	WO 0118/871 (15.03.2001 Gazette 2001/11)

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

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Priorität:

07.09.1999 DE 19942679

(71)	Anmelder: Infineon Technologies AG
	81541 München (DE)

(72)	Erfinder:
	SCHULZE, Hans-Joachim 85521 Ottobrunn (DE) DEBOY, Gerald 82008 Unterhaching (DE)

(74)	Vertreter: Bickel, Michael
	Westphal - Mussgnug & PartnerPatentanwälteMozartstrasse 8 80336 München 80336 München (DE)

(54)	VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HOCHVOLTTAUGLICHEN RANDABSCHLUSSES BEI EINEM NACH DEM PRINZIP DER LATERALEN LADUNGSKOMPENSATION VORGEFERTIGTEN GRUNDMATERIALWAFER