(19)
(11) EP 1 218 945 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
03.07.2002  Patentblatt  2002/27

(21) Anmeldenummer: 00978967.8

(22) Anmeldetag:  29.09.2000
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 29/94, H01L 27/08
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0003/479
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0124/277 (05.04.2001 Gazette  2001/14)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

(30) Priorität: 30.09.1999 DE 19947116
30.09.1999 DE 19946977
20.12.1999 DE 19961487

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • TILLE, Thomas
    81673 München (DE)
  • SCHMITT-LANDSIEDEL, Doris
    85521 Ottobrunn (DE)
  • SAUERBREY, Jens
    81549 München (DE)

(74) Vertreter: Graf Lambsdorff, Matthias, Dr. 
PatentanwälteLambsdorff & LangeDingolfinger Strasse 6
81673 München
81673 München (DE)

   


(54) SCHALTUNGSANORDNUNG ZUR BILDUNG EINES MOS-KONDENSATORS MIT GERINGER SPANNUNGSABHÄNGIGKEIT UND GERINGEM FLÄCHENBEDARF