(19)
(11) EP 1 234 329 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
28.08.2002  Patentblatt  2002/35

(21) Anmeldenummer: 00985129.6

(22) Anmeldetag:  01.12.2000
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/331
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP0012/112
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0104/1205 (07.06.2001 Gazette  2001/23)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 02.12.1999 DE 19958062

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • BOECK, Josef
    80807 Muenchen (DE)
  • KLEIN, Wolfgang
    85604 Zorneding (DE)
  • SCHAEFER, Herbert
    85635 Hoehenkirchen-Siegertsbrunn (DE)
  • FRANOSCH, Martin
    81739 Muenchen (DE)
  • STENGL, Reinhard
    86391 Stadtbergen (DE)
  • MEISTER, Thomas
    82024 Taufkirchen (DE)

(74) Vertreter: Zimmermann & Partner 
Postfach 33 09 20
80069 München
80069 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNGSANORDNUNG MIT EINEM SOLCHEN BIPOLARTRANSISTOR