(19)
(11)
EP 1 234 333 A2
(12)
(88)
Veröffentlichungstag A3:
27.12.2001
(43)
Veröffentlichungstag:
28.08.2002
Patentblatt 2002/35
(21)
Anmeldenummer:
00993289.8
(22)
Anmeldetag:
28.11.2000
(51)
Internationale Patentklassifikation (IPC)
7
:
H01L
27/108
(86)
Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0004/221
(87)
Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0104/1186
(
07.06.2001
Gazette 2001/23)
(84)
Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR
(30)
Priorität:
30.11.1999
DE 19957543
(71)
Anmelder:
Infineon Technologies AG
81669 München (DE)
(72)
Erfinder:
DAHL, Claus
81667 München (DE)
KÖPPE, Siegmar
30880 Laatzen (DE)
(74)
Vertreter:
Kindermann, Peter, Dipl.-Ing.
Patentanwalt,Postfach 1330
85627 Grasbrunn
85627 Grasbrunn (DE)
(54)
DREITRANSISTOR-DRAM-ZELLE UND DAZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN