(19)
(11) EP 1 234 333 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
27.12.2001

(43) Veröffentlichungstag:
28.08.2002  Patentblatt  2002/35

(21) Anmeldenummer: 00993289.8

(22) Anmeldetag:  28.11.2000
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H01L 27/108
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0004/221
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0104/1186 (07.06.2001 Gazette  2001/23)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 30.11.1999 DE 19957543

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • DAHL, Claus
    81667 München (DE)
  • KÖPPE, Siegmar
    30880 Laatzen (DE)

(74) Vertreter: Kindermann, Peter, Dipl.-Ing. 
Patentanwalt,Postfach 1330
85627 Grasbrunn
85627 Grasbrunn (DE)

   


(54) DREITRANSISTOR-DRAM-ZELLE UND DAZUGEHÖRIGES HERSTELLUNGSVERFAHREN