(19)
(11)
EP 1 258 042 A1
(12)
(43)
Date de publication:
20.11.2002
Bulletin 2002/47
(21)
Numéro de dépôt:
01909882.1
(22)
Date de dépôt:
23.02.2001
(51)
Int. Cl.
7
:
H01L
29/78
(86)
Numéro de dépôt:
PCT/FR0100/532
(87)
Numéro de publication internationale:
WO 0106/3677
(
30.08.2001
Gazette 2001/35)
(84)
Etats contractants désignés:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR
Etats d'extension désignés:
AL LT LV MK RO SI
(30)
Priorité:
23.02.2000
FR 0002237
(71)
Demandeur:
CENTRE NATIONAL DELA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
75794 Paris Cedex 16 (FR)
(72)
Inventeur:
DUBOIS, Emmanuel
F-59890 Quesnoy sur Deule (FR)
(74)
Mandataire:
Brykman, Georges et al
c/o BREVATOME3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)
(54)
TRANSISTOR MOS POUR CIRCUITS A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION