(19)
(11) EP 1 258 042 A1

(12)

(43) Date de publication:
20.11.2002  Bulletin  2002/47

(21) Numéro de dépôt: 01909882.1

(22) Date de dépôt:  23.02.2001
(51) Int. Cl.7H01L 29/78
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR0100/532
(87) Numéro de publication internationale:
WO 0106/3677 (30.08.2001 Gazette  2001/35)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR
Etats d'extension désignés:
AL LT LV MK RO SI

(30) Priorité: 23.02.2000 FR 0002237

(71) Demandeur: CENTRE NATIONAL DELA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
75794 Paris Cedex 16 (FR)

(72) Inventeur:
  • DUBOIS, Emmanuel
    F-59890 Quesnoy sur Deule (FR)

(74) Mandataire: Brykman, Georges et al
c/o BREVATOME3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) TRANSISTOR MOS POUR CIRCUITS A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION