(19)
(11) EP 1 266 398 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
18.12.2002  Patentblatt  2002/51

(21) Anmeldenummer: 01917065.3

(22) Anmeldetag:  05.03.2001
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/20, H01L 21/205
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP0102/471
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0107/3826 (04.10.2001 Gazette  2001/40)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK RO SI

(30) Priorität: 24.03.2000 EP 00106460

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • LOSEHAND, Reinhard
    80637 München (DE)
  • WERTHMANN, Hubert
    81247 München (DE)

(74) Vertreter: Fischer, Volker, Dipl.-Ing. 
Epping Hermann & FischerRidlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HOCHFREQUENZ-HALBLEITERSTRUKTUR UND HOCHFREQUENZ-HALBLEITERSTRUKTUR