HETEROBIPOLAR-TRANSISTOR MIT T-FÖRMIGEM EMITTERANSCHLUSSKONTAKT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR - Patent 1275155

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EP 1 275 155 A1

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(43)	Veröffentlichungstag:
	15.01.2003 Patentblatt 2003/03

(21)	Anmeldenummer: 01925378.0

(22)	Anmeldetag: 06.03.2001

(51)	Internationale Patentklassifikation (IPC)⁷: H01L 29/737, H01L 29/417, H01L 21/331

(86)	Internationale Anmeldenummer:
	PCT/EP0102/512

(87)	Internationale Veröffentlichungsnummer:
	WO 0107/3853 (04.10.2001 Gazette 2001/40)

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR
	Benannte Erstreckungsstaaten:
	AL LT LV MK RO SI

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Priorität:

24.03.2000 EP 00106474

(71)	Anmelder: Infineon Technologies AG
	81669 München (DE)

(72)	Erfinder:
	KRAUS, Stefan 82065 Baierbrunn (DE)

(74)	Vertreter: Ginzel, Christian
	Zimmermann & Partner,Postfach 33 09 20 80069 München 80069 München (DE)

(54)	HETEROBIPOLAR-TRANSISTOR MIT T-FÖRMIGEM EMITTERANSCHLUSSKONTAKT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR