PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT COUCHE ACTIVE SEMI-CONDUCTRICE MINCE - Patent 1292976

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EP 1 292 976 A1

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(43)	Date de publication:
	19.03.2003 Bulletin 2003/12

(21)	Numéro de dépôt: 01947572.2

(22)	Date de dépôt: 21.06.2001

(51)	Int. Cl.⁷: H01L 21/762, H01L 21/265

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR0101/960

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 0109/9179 (27.12.2001 Gazette 2001/52)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

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Priorité:

23.06.2000 FR 0008094

(71)	Demandeur: STMicroelectronics SA
	94250 Gentilly Cedex (FR)

(72)	Inventeurs:
	LE GOASCOZ, Vincent F-38640 Claix (FR) JAOUEN, Hervé F-38240 Meylan (FR)

(74)	Mandataire: Casalonga, Axel
	BUREAU D.A. CASALONGA - JOSSEPaul-Heyse-Strasse 33 80336 München 80336 München (DE)

(54)	PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DU TYPE SILICIUM SUR ISOLANT COUCHE ACTIVE SEMI-CONDUCTRICE MINCE