(19)
(11) EP 1 295 326 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
26.03.2003  Patentblatt  2003/13

(21) Anmeldenummer: 01949264.4

(22) Anmeldetag:  15.06.2001
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/331, H01L 29/737, H01L 29/732
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0102/226
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0109/7273 (20.12.2001 Gazette  2001/51)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 14.06.2000 DE 10029270

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • FRANOSCH, Martin
    81739 München (DE)
  • MEISTER, Thomas
    82024 Taufkirchen (DE)
  • SCHÄFER, Herbert
    85635 Höhenkirchen-Siegertsbrunn (DE)
  • STENGL, Reinhard
    86391 Stadtbergen (DE)
  • WOLF, Konrad
    83624 Otterfing (DE)

(74) Vertreter: Dokter, Eric-Michael 
Anwaltskanzlei,Viering, Jentschura & Partner,Steinsdorferstrasse 6
80538 München
80538 München (DE)

   


(54) SILIZIUM-BIPOLARTRANSISTOR, SCHALTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SILIZIUM-BIPOLARTRANSISTORS