(19)
(11) EP 1 305 834 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
02.05.2003  Patentblatt  2003/18

(21) Anmeldenummer: 01960126.9

(22) Anmeldetag:  19.07.2001
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 51/20, H01L 29/775, H01L 21/335
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0102/708
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0201/1216 (07.02.2002 Gazette  2002/06)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 28.07.2000 DE 10036897

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • KRETZ, Johannes
    80538 München (DE)
  • LUYKEN, Richard, Johannes
    81825 München (DE)
  • ROESNER, Wolfgang
    85521 Ottobrunn (DE)

(74) Vertreter: Kottmann, Heinz Dieter, Dipl.-Ing. 
PatentanwälteMÜLLER & HOFFMANN,Innere Wiener Strasse 17
81667 München
81667 München (DE)

   


(54) FELDEFFEKTTRANSISTOR, SCHALTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES FELDEFFEKTTRANSISTORS