(19)
(11) EP 1 317 777 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
11.06.2003  Patentblatt  2003/24

(21) Anmeldenummer: 01962672.0

(22) Anmeldetag:  24.08.2001
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 27/108, H01L 21/8242
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0103/235
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0202/3636 (21.03.2002 Gazette  2002/12)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 15.09.2000 DE 10045694

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • KARCHER, Wolfram
    01465 Langebrueck (DE)
  • TEMMLER, Dietmar
    01109 Dresden (DE)
  • SCHREMS, Martin
    8063 Eggersdorf (AT)

(74) Vertreter: Epping Hermann & Fischer 
Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) HALBLEITERSPEICHERZELLE MIT GRABENKONDENSATOR UND AUSWAHLTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG