[0001] La présente invention concerne un dispositif de guide d'onde lanceur pour l'excitation
d'une enceinte par des micro-ondes provenant d'un émetteur apte à faire régner dans
le guide d'onde du dispositif un champ électromagnétique de micro-ondes ayant une
longueur d'ondes λ
g, le dispositif comprenant un emplacement pour l'émetteur définissant un plan de l'émetteur
et deux parois de réflexion d'onde au voisinage desquelles sont respectivement situées
deux sorties principales pour les micro-ondes.
[0002] On rappelle que les micro-ondes sont des ondes électromagnétique dont la fréquence
est comprise entre 0,3 GHz et 300 GHz, plus particulièrement entre 0,3 GHz et 5,2
GHz. Pour de nombreuses applications, on choisit des micro-ondes dont la fréquence
est de l'ordre de 2,45 GHz.
[0003] Les micro-ondes sont émises à partir d'un tube émetteur dénommé magnétron, qui émet
à la fréquence choisie. Ces micro-ondes sont transmises à l'enceinte devant être excitée
par un dispositif de guide d'onde dit lanceur.
[0004] Cette enceinte peut être constituée par la cavité d'un four à micro-ondes d'usage
domestique ou industriel. De manière générale, il s'agit d'une enceinte dans laquelle
on doit faire régner un champ de micro-ondes pour traiter un objet à l'aide de micro-ondes.
Il peut ainsi s'agir de l'enceinte d'un réacteur à plasma telle que décrite dans le
document
FR-A-2 631 199.
[0005] Il importe que les micro-ondes générées par le magnétron soient transmises à l'enceinte
de façon stable et avec une puissance maximale. Ainsi, l'enceinte ne doit être la
cause d'aucun effet perturbateur des relations de phase internes au magnétron, faute
de quoi la puissance émise serait réduite et la durée de vie du magnétron en serait
affectée.
[0006] Le guide d'onde lanceur constitue un intermédiaire entre le magnétron et l'enceinte
qui sert au couplage des micro-ondes, c'est-à-dire à l'adaptation des impédances du
champ électromagnétique entre le magnétron et l'enceinte.
[0007] Ainsi, la géométrie du guide d'onde lanceur peut être déterminée en fonction de celle
de l'enceinte pour réaliser un couplage correct. Le problème est que, dès lors qu'une
charge est disposée dans l'enceinte, en particulier un objet devant être traité par
les micro-ondes, cette charge perturbe l'impédance du champ électromagnétique régnant
dans cette enceinte. Le couplage se trouve donc perturbé du fait de la présence même
de l'objet devant être traité par les micro-ondes. Il en résulte une distribution
non homogène des micro-ondes lorsqu'un objet donné est présent dans l'enceinte. C'est
pour cette raison que, au moins dans l'application domestique, de nombreux fours à
micro-ondes sont équipés d'un système de plateau tournant qui déplace l'objet devant
être traité à l'intérieur du four. Il n'en reste pas moins que le rendement énergétique
de l'installation est affecté par les défauts de couplage. De plus, des objets ayant
des caractéristiques différentes (en particulier ayant trait à leur géométrie) ne
sont pas affectés de la même manière par les micro-ondes, pourtant émises par la même
source.
[0008] Le document
FR-A-2 631 199 divulgue la présence de moyens de réglage du couplage entre le magnétron et la cavité
devant être excitée par les micro-ondes, ces moyens comprenant des vis réglables pénétrant
dans la cavité du guide d'onde et des pistons de réglage modifiant la géométrie de
l'enceinte. Comme l'indique ce document, ces moyens de réglage sont mobiles dans le
cadre d'une application expérimentale, les opérateurs du dispositif pouvant adapter
les réglages en fonction de chaque expérience. Pour des applications industrielles,
ces moyens de réglage sont fixes, c'est-à-dire que le couplage peut être réalisé lors
de l'installation du dispositif qui est alors dédié à une production industrielle
spécifique.
[0009] Le document
JP 05 234 670 décrit un dispositif tel que décrit dans le préambule de la revendication 1.
[0010] Pour des applications nécessitant le traitement par des micro-ondes d'objets de caractéristiques
diverses et dans des conditions différentes, ces moyens de réglage sont peu appropriés.
En particulier, pour les fours à micro-ondes d'usage domestique, il est exclu que
l'utilisateur règle le couplage selon le type de plat devant être chauffé.
[0011] La présente invention vise à améliorer l'art antérieur précité en faisant en sorte
que le couplage entre le magnétron et l'enceinte ne soit pas ou pratiquement pas sensible
à l'objet ou à la charge disposé dans l'enceinte.
[0012] Ce but est atteint grâce au fait que les deux parois de réflexion d'onde sont respectivement
écartées du plan de l'émetteur d'une distance sensiblement égale à 0,2. λ
g + k. λ
g/2 et d'une distance sensiblement égale à 0,3. λ
g + p. λ
g/2, où k et p sont des nombres entiers.
[0013] En d'autres termes, les deux parois de réflexion d'onde sont respectivement écartées
du plan de l'émetteur d'une distance voisine de 0,2.λ
g modulo λ
g/2 et d'une distance de 0,3. λ
g modulo λ
g/2.
[0014] Dans un champ de micro-ondes, l'impédance d'onde s'exprime en tout point par un nombre
complexe dont la partie imaginaire traduit une perte d'énergie et une dérive en fréquence.
Ainsi, le champ qui règne dans le guide d'onde est la résultante des ondes émises
par le magnétron et des ondes réfléchies par les parois de réflexion du guide d'onde.
[0015] Pour un magnétron donné, on peut établir le diagramme de Rieke qui, en fonction de
la distance par rapport au plan de référence de l'antenne qui émet les micro-ondes,
indique la puissance de l'énergie transportée par les ondes et les écarts de fréquence.
Ce diagramme montre que, dans les régions éloignées du plan de l'antenne d'une distance
de l'ordre de 0,2. λ
g et dans les régions éloignées de l'antenne d'une distance de l'ordre de 0,3. λ
g, la perte d'énergie est la plus faible. Ces régions constituent donc des zones optimales
du point de vue de la limitation de la perte d'énergie. En raison de la répétitivité
de l'onde à intervalles égaux à λ
g/2, les régions qui sont écartées des zones optimales précitées d'une distance qui
est un multiple de λ
g/2 constituent également des régions optimales.
[0016] Par ailleurs, des plans éloignés du plan de l'antenne d'une distance égale à λ
g/4 modulo λ
g/2 constituent des plans de symétrie pour la dissipation de l'énergie. En d'autres
termes, dans deux plans symétriques l'un de l'autre par rapport à un tel plan de symétrie,
les parties imaginaires des impédances sont sensiblement opposées. C'est le cas de
deux plans respectivement écartés du plan de l'émetteur d'une distance sensiblement
égale à 0,2. λ
g et d'une distance sensiblement égale à 0,3. λ
g. En raison de la répétitivité de l'onde à intervalles de λ
g/2, les deux parois de réflexion définies comme indiqué ci-dessus sont disposées dans
des zones dans lesquelles les impédances sont conjuguées.
[0017] Le choix judicieux des positions des parois de réflexion selon l'invention combine
donc l'optimisation de la limitation des pertes d'énergie avec des impédances conjuguées
sur ces parois renvoyant à l'antenne une impédance sensiblement purement réelle.
[0018] Avec l'invention, l'impédance des ondes réfléchies, mesurée dans le plan de l'antenne
d'émission du magnétron, est sensiblement purement réelle, c'est-à-dire qu'elle s'exprime
par un nombre complexe ayant une partie imaginaire sensiblement nulle, ce qui signifie
que la résultante de ces ondes réfléchies ne perturbe pas l'émission d'ondes par l'antenne
qui émet par conséquent à une puissance maximale et ce, quelle que soit la charge
qui est disposée dans l'enceinte. Ainsi, en minimisant la partie imaginaire de l'impédance
ramenée au plan de l'émetteur, on fait en sorte que celui-ci ne soit pas perturbé
par les phénomènes qui prennent place dans l'enceinte. Par "partie imaginaire sensiblement
nulle", il faut comprendre que la partie imaginaire contribue tout au plus à hauteur
d'environ 5 % à la valeur du module du nombre complexe.
[0019] De préférence, le dispositif comporte un organe de réglage disposé à une distance
du plan de l'émetteur qui est égale à n.λ
g/2, n étant un nombre entier.
[0020] Les plans qui sont écartés du plan de l'émetteur d'une distance égale à un multiple
de la demi-longueur d'onde dans le guide d'onde (λ
g/2) constituent des plans équivalents, dans lesquels le champ électromagnétique se
comporte de la même manière que dans le plan de l'émetteur. Ainsi, en disposant l'organe
de réglage dans le plan de l'émetteur ou dans un plan équivalent, on fait en sorte
que toute action de réglage sur cet organe a un effet sur la conformation du champ
électromagnétique dans le plan de l'émetteur.
[0021] Selon un mode de réalisation particulièrement avantageux, l'organe de réglage comprend
une tige conductrice susceptible d'être plus ou moins enfoncée dans le guide d'onde.
[0022] L'amplitude du champ électrique au droit de la tige conductrice est inversement proportionnelle
à la distance entre cette tige et la paroi du guide d'onde qui lui fait face. En d'autres
termes, en enfonçant la tige, on augmente le module du champ électrique au droit de
cette tige, et donc également dans le plan de l'émetteur. Globalement, l'impédance
de l'onde est représentée par le quotient du champ électrique par le champ magnétique.
Le degré d'enfoncement de la tige conductrice modifie le champ électrique et modifie
donc l'impédance dans le plan équivalent dans lequel se trouve la tige conductrice
et dans le plan de l'émetteur.
[0023] De manière générale, le champ électromagnétique qui règne dans le guide d'onde est
fonction de la distance entre les parois de réflexion et le plan de l'émetteur. Ce
champ est en effet la résultante des ondes émises par l'émetteur et des ondes réfléchies
par les parois de réflexion. L'impédance en un point du guide d'onde dépend donc de
sa distance par rapport au plan de l'émetteur et par rapport aux parois de réflexion.
En fonction de la longueur d'onde λ
g, on choisit selon l'invention que les distances respectives entre chacune des deux
parois de réflexion et le plan de l'émetteur soient telles que les parties imaginaires
des impédances respectivement mesurées sur chacune de ces deux parois soient sensiblement
opposées. Ainsi, le réglage de l'organe de réglage, associé au choix de la distance
entre les parois de réflexion et le plan de l'émetteur, est tel que les impédances
sur chacune de ces deux parois s'expriment respectivement par des nombres complexes
conjugués. De ce fait, l'impédance de la résultante des ondes réfléchies sur chacune
des deux parois de réflexion, mesurée dans le plan de l'émetteur, présente une partie
imaginaire nulle.
[0024] Les moyens de réglage constitués par exemple par une vis de réglage permettent d'affiner
le couplage pour tenir compte des écarts de cotes dus aux tolérances de fabrication
et des perturbations dans le champ électromagnétique dues, par exemple, à l'épaisseur
de l'antenne.
[0025] Avantageusement, selon l'invention, le guide d'onde présente des sorties secondaires
en plus des sorties principales précitées. Ces sorties secondaires sont formées par
des fentes secondaires situées dans une paroi avant de la cavité guide d'onde qui
débouche dans l'enceinte devant être excitée par les micro-ondes, ces fentes étant
réparties de manière à favoriser l'homogénéité de la distribution des micro-ondes
dans l'enceinte.
[0026] L'invention sera bien comprise et ses avantages apparaîtront mieux à la lecture de
la description détaillée qui suit, d'un mode de réalisation représenté à titre d'exemple
non limitatif.
[0027] La description se réfère aux dessins annexés, sur lesquels :
- la figure 1 est une vue schématique montrant le dispositif de guide d'onde, le magnétron
et l'enceinte destinée à être excitée par les micro-ondes ;
- la figure 2 est une vue de côté du dispositif de guide d'onde ; et
- la figure 3 est une vue en élévation selon la flèche III de la figure 2.
[0028] Sur la figure 1, l'enceinte 10 peut être la cavité d'un four à micro-ondes ou toute
autre enceinte destinée à être excitée par des micro-ondes pour le traitement par
micro-ondes d'un objet ou d'une charge disposé dans ladite enceinte.
[0029] Les moyens utilisés pour l'excitation de cette enceinte comprennent un magnétron
12 apte à générer des micro-ondes, par exemple à une fréquence standard voisine de
2 450 MHz, et un dispositif de guide d'onde lanceur, réalisant l'interface entre le
magnétron et l'enceinte.
[0030] Les micro-ondes générées par le magnétron 12 sont émises dans le guide d'onde 16
par une antenne d'émission 18 qui se trouve dans ce guide. Comme on le voit mieux
sur la figure 2, l'antenne 18 définit, dans le guide d'onde 16, un plan de l'émetteur
P
0 (le plan de l'émetteur P
0 par rapport auquel les distances D1 et D2 sont mesurées est défini par la position
de l'axe de symétrie de l'antenne 18). De manière connue en soi, le guide d'onde 16
présente des parois de guide parallèlement auxquelles les ondes émises par l'antenne
18 se propagent dans la direction de propagation F. Dans l'exemple représenté, ces
parois comprennent une paroi arrière 20, à laquelle est fixé le magnétron 12 et qui
présente un emplacement pour l'émetteur 18. Elles comprennent également une paroi
avant 22, qui est opposée à la paroi 20 et qui, lorsque le guide d'onde coopère avec
l'enceinte 10, est tournée vers cette enceinte. Les parois de guide comprennent encore
des parois latérales 24 et 26 indiquées sur la figure 3.
[0031] Par exemple, le champ électrique E du champ électromagnétique qui règne dans le guide
d'onde est perpendiculaire aux parois avant et arrière 20 et 22, tandis que le champ
magnétique H est perpendiculaire aux parois latérales 24 et 26.
[0032] Dans la direction de propagation F, le guide d'onde 16 est délimité par deux parois
de réflexion, respectivement 28 et 30 qui sont perpendiculaires à la direction F.
Pour la diffusion des micro-ondes dans l'enceinte 10, le guide d'onde présente deux
sorties principales, respectivement 32 et 34, qui sont respectivement situées au voisinage
des parois de réflexion 28 et 30. Plus précisément, les deux sorties principales sont
formées par des fentes principales qui s'étendent parallèlement aux parois de réflexion
28 et 30 et qui sont respectivement situées aux jonctions de ces parois avec la paroi
avant 22. En l'espèce, les fentes 32 et 34 sont ménagées dans cette paroi avant et
s'étendent sur toute la largeur de cette paroi, leurs bords extrêmes étant respectivement
délimités par les parois 28 et 30.
[0033] La première paroi de réflexion d'onde 28 est écartée du plan de l'émetteur P
0 d'une distance D1, tandis que la deuxième paroi de réflexion 30 est écartée du plan
P
0 d'une distance D2. Ces distances D1 et D2 sont choisies pour que les parois de réflexion
28 et 30 soient situées dans des régions qui, en fonction du diagramme de Rieke, soient
optimales du point de vue de la transmission de l'énergie et dans lesquelles les impédances
sont sensiblement conjuguées. Ainsi, les distances D1 et D2 sont respectivement sensiblement
égales à 0,2. λ
g et 0,3. λ
g modulo λ
g/2. Les distances D1 et D2 sont sensiblement égales aux valeurs indiquées, c'est-à-dire
qu'elles peuvent s'en écarter seulement dans des plages faibles. Ainsi, considérées
modulo λ
g/2, les distances D1 et D2 sont respectivement voisines de 0,2. λ
g et de 0,3. λ
g ± 5 % et, de préférence, ± 3%.
[0034] Les parois de réflexion 28 et 30 sont donc situées dans des régions dans lesquelles,
en fonction du diagramme de Rieke associé au magnétron 12, on s'attend à ce que les
impédances de l'onde soient conjuguées. Toutefois, certains paramètres perturbent
légèrement la conformation du champ électromagnétique dans le guide d'onde. En particulier,
l'antenne de l'émetteur 18 n'est pas ponctuelle, mais elle présente une certaine épaisseur.
[0035] Pour réaliser le couplage entre le guide d'onde et l'émetteur 18 et, en particulier,
faire en sorte que les parties imaginaires des ondes réfléchies par les parois 28
et 30 s'annulent dans le plan P
0, le dispositif comprend un organe de réglage 36. Cet organe de réglage est constitué
par une tige conductrice ou diélectrique avantageusement disposée dans la paroi arrière
20 qui peut être plus ou moins enfoncée dans le guide d'onde 16. Cette tige est située
à une distance D3 du plan de l'émetteur P
0. Cette distance D3 est égale à un multiple de la demi-longueur d'onde de l'onde électromagnétique
entretenue dans le guide d'onde. Elle est ainsi située sur un plan équivalent P
1. Les phénomènes qui se produisent dans un tel plan sont les mêmes que ceux qui se
produisent dans le plan de l'émetteur P
0. Ainsi, le réglage de la tige 36 modifie la valeur du champ électrique dans le plan
P
1 pour optimiser la puissance de l'onde dans ce plan. Ceci permet donc d'optimiser
la puissance dans le plan de l'émetteur P
0. La présence de cette tige de réglage, conjuguée avec le choix des distances D1 et
D2 pour les parois de réflexion 28 et 30, permet d'optimiser la puissance émise par
l'antenne et d'éviter que cette dernière n'ait à souffrir des perturbations dues aux
ondes réfléchies sur les parois 28 et 30, dont les parties imaginaires s'annulent
sensiblement au plan P
0.
[0036] Bien entendu, on pourrait envisager de disposer un organe de réglage directement
dans le plan de l'émetteur P
0, mais en raison de la longueur axiale de l'antenne de l'émetteur 18, ceci n'est pas
toujours possible. C'est pourquoi on choisit de le disposer dans le plan P
1.
[0037] Comme on le voit mieux sur la figure 3, le dispositif de guide d'onde présente, en
plus des sorties principales 32 et 34, des sorties secondaires.
[0038] Les sorties secondaires sont formées par des fentes secondaires qui sont situées
dans la paroi avant 22 et qui sont inclinées par rapport aux parois de réflexion 28
et 30.
[0039] Plus précisément, on remarque d'abord deux fentes secondaires 38 et 40 qui sont respectivement
situées au voisinage de chacune des deux parois de réflexion 28 et 30. Ceci signifie
que ces deux fentes 38 et 40 sont situées de part et d'autres d'un plan transversal
médian P
M du dispositif qui est parallèle au plan de l'émetteur P
0. Ces fentes sont allongées et définissent donc chacune une direction longitudinale,
respectivement L38 et L40. L'inclinaison des fentes est telle que l'angle A38 entre
le plan P
M et la direction L38 et l'angle A40 entre le plan P
M et la direction L40 sont sensiblement égaux à 35° (ces angles sont compris entre
30° et 45°). Les fentes 38 et 40 sont ainsi inclinées à la fois par rapport aux parois
de réflexion 28 et 30 et par rapport à la direction F de propagation des micro-ondes
dans la cavité 16. Ces fentes sont symétriques par rapport au plan médian P
M. Les centres géométriques de ces fentes, C38 et C40, sont situés dans un plan longitudinal
médian P
L du dispositif.
[0040] Les sorties secondaires comportent, en outre, une troisième fente secondaire 42,
qui est sensiblement parallèle à la direction F de propagation des micro-ondes dans
la cavité 16 et qui est sensiblement située à égale distance de chacune des deux parois
de réflexion 28 et 30. Cette fente 42 est centrée sur le plan médian P
M et est située dans la partie ouverte de l'angle que forment les fentes 38 et 40.
[0041] Les fentes principales 32 et 34 représentent chacune environ 40 % de la section totale
de sortie du dispositif de guide d'onde, tandis que les sorties secondaires comprenant
les fentes 38, 40 et 42 représentent, considérées ensemble, environ 20 % de cette
section totale.
[0042] Cet ensemble de fentes permet, de par la disposition et la longueur des fentes, de
maîtriser l'homogénéité de la température des produits traités par les micro-ondes
dans l'enceinte.
1. Dispositif de guide d'onde lanceur pour l'excitation d'une enceinte (10) par des micro-ondes
provenant d'un émetteur (18) apte à faire régner dans le guide d'onde (16) du dispositif
un champ électromagnétique (E, H) de micro-ondes ayant une longueur d'ondes λg, le dispositif comprenant un emplacement pour l'émetteur (18) définissant un plan
de l'émetteur (P0) et deux parois de réflexion d'onde (28, 30) au voisinage desquelles sont respectivement
situées deux sorties principales pour les micro-ondes (32, 34),
caractérisé en ce que les deux parois de réflexion d'onde (28, 30) sont respectivement écartées du plan
de l'émetteur d'une distance (D1) sensiblement égale à 0,2. λg + k. λg/2 et d'une distance (D2) sensiblement égale à 0,3. λg + p. λg/2, où k et p sont des nombres entiers.
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un organe de réglage (36) disposé à une distance (D3) du plan de l'émetteur
(P0) qui est égale à n. λg/2, n étant un nombre entier.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'organe de réglage comprend une tige conductrice (36) susceptible d'être plus ou
moins enfoncée dans le guide d'onde (16).
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les deux sorties principales sont formées par des fentes principales (32, 34), qui
s'étendent parallèlement aux parois de réflexion (28, 30) et qui sont respectivement
situées aux jonctions desdites parois avec une paroi avant (22) de la cavité guide
d'onde (16).
5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il présente, en outre, des sorties secondaires formées par des fentes secondaires (38,
40), qui sont situées dans une paroi avant (22) de la cavité guide d'onde (16) et
qui sont inclinées par rapport aux parois de réflexion.
6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il présente deux fentes secondaires (38, 40) qui sont respectivement situées au voisinage
de chacune des deux parois de réflexion (28, 30).
7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que lesdites deux fentes secondaires (38, 40) sont inclinées (A38, A40) par rapport aux
parois de réflexion et par rapport à la direction (F) de propagation des micro-ondes
dans la cavité guide d'onde (16).
8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce qu'il présente une fente secondaire (42), qui est sensiblement parallèle à la direction
(F) de propagation des micro-ondes dans la cavité guide d'onde (16) et qui est située
sensiblement à égale distance de chacune des deux parois de réflexion (28, 30).
9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 8, caractérisé en ce que les fentes principales (32, 34) représentent chacune environ 40 % de la section totale
de sortie, tandis que les sorties secondaires (38, 40, 42) représentent, considérées
ensemble, environ 20 % de la section totale de sortie.
1. Waveguide generator device for energizing a chamber (10) by means of microwaves coming
from an emitter (18) capable of generating in the waveguide (16) of the device an
electromagnetic field (E, H) of microwaves having a wavelength λg, the device comprising a site for the emitter (18) defining a plane of the emitter
(P0) and two wave-reflecting walls (28, 30) in the proximity of which are respectively
located two main outlets for the microwaves (32, 34),
characterised in that the two wave-reflecting walls (28, 30) are respectively spaced from the emitter plane
by a distance (D1) substantially equal to 0.2 λg + k. λg/2 and a distance (D2) substantially equal to 0.3. λg + p. λg/2, where k and p are integers.
2. Device according to claim 1, characterised in that it comprises an adjusting member (36) disposed at a distance (D3) from the emitter
plane (P0) which is equal to n, λg/2, n being an integer.
3. Device according to claim 2, characterised in that the adjusting member comprises a conducting rod (36) capable of being pushed to a
greater or lesser extent into the waveguide (16).
4. Device according to any one of claims 1 to 3, characterised in that the two main outlets are formed by main slots (32, 34), which extend parallel to
the reflecting walls (28, 30) and are respectively located at the junctions of said
walls with a front wall (22) of the waveguide cavity (16).
5. Device according to any one of claims 1 to 4, characterised in that it further has secondary outlets formed by secondary slots (38, 40), which are located
in a front wall (22) of the waveguide cavity (16) and which are inclined relative
to the reflecting walls.
6. Device according to claim 5, characterised in that it has two secondary slots (38, 40) which are respectively located in the proximity
of each of the two reflecting walls (28, 30).
7. Device according to claim 6, characterised in that said two secondary slots (38, 40) are inclined (A38, A40) relative to the reflecting
walls and relative to the direction (F) of propagation of the microwaves into the
waveguide cavity (16).
8. Device according to any one of claims 5 to 7 , characterised in that it has a secondary slot (42), which is substantially parallel to the direction (F)
of propagation of the microwaves into the waveguide cavity (16) and which is located
substantially equidistant from each of the two reflecting walls (28, 30).
9. Device according to any one of claims 5 to 8, characterised in that the main slots (32, 34) each represent approximately 40 % of the total cross-section
of the outlet, whilst the secondary outlets (38, 40, 42) together represent approximately
20 % of the total cross-section of the outlet.
1. Startwellenleitervorrichtung zur Erregung eines Behälters (10) durch Mikrowellen,
die von einem Sender (18) stammen, der dazu geeignet ist, in dem Wellenleiter (16)
der Vorrichtung ein elektromagnetisches Feld (E, H) von Mikrowellen mit einer Wellenlänge
λg herrschen zu lassen, wobei die Vorrichtung einen Standort für den Sender (18) aufweist,
der eine Ebene des Senders (P0) und zwei Wellenreflexionswände (28, 30) definiert, in deren Nachbarschaft zwei Hauptausgänge
für die Mikrowellen (32 bzw. 34) liegen,
dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Wellenreflexionswände (28, 30) jeweils von der Ebene des Senders um einen
Abstand (D1), der im wesentlichen gleich 0,2 λg + k λg/2 ist, und um einen Abstand (D2) entfernt sind, der im wesentlichen gleich 0,3 λg + p λg/2 ist, worin k und p ganze Zahlen sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Regelorgan (36) aufweist, das in einem Abstand (D3) von der Ebene des Senders
(P0) angeordnet ist, der gleich n λg/2 ist, wobei n eine ganze Zahl ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Regelorgan einen leitfähigen Stift (36) aufweist, der mehr oder weniger in den
Wellenleiter (16) eingedrückt werden kann.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Hauptausgänge durch Hauptspalte (32, 34) gebildet sind, die sich parallel
zu den Reflexionswänden (28, 30) erstrecken und jeweils an den Verbindungen der Wände
mit einer vorderen Wand (22) des Wellenleiterhohlraums (16) liegen.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß sie ferner durch Sekundärspalte (38, 40) gebildete Sekundärausgänge aufweist, die
in einer vorderen Wand (22) des Welienleiterhohlraums (16) liegen und bezüglich der
Reflexionswände geneigt sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie zwei Sekundärspalte (38, 40) aufweist, die in der Nähe jeder der zwei Reflexionswände
(28 bzw. 30) liegen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Sekundärspalte (38, 40) bezuglich der Reflexionswände und bezüglich der
Fortpflanzungsrichtung (F) der Mikrowellen in dem Wellenleiterhohlraum (16) geneigt
(A38, A40) sind.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß sie einen Sekundärspalt (42) aufweist, der im wesentlichen parallel zu der Fortpflanzungsrichtung
(F) der Mikrowellen in dem Wellenleiterhohlraum (16) ist und im wesentlichen in gleichem
Abstand von jeder der zwei Reflexionswände (28, 30) liegt.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauptspalte (32, 34) jeweils etwa 40 % des Gesamtausgangsquerschnitts darstellen,
wahrend die Sekundärausgänge (38, 40, 42) gemeinsam betrachtet etwa 20 % des Gesamtausgangsquerschnitts
darstellen.