(19)
(11) EP 1 366 517 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
22.05.2003

(43) Veröffentlichungstag:
03.12.2003  Patentblatt  2003/49

(21) Anmeldenummer: 02727188.1

(22) Anmeldetag:  05.03.2002
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H01L 21/8242
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE0200/788
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 0207/3657 (19.09.2002 Gazette  2002/38)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 09.03.2001 DE 10111498

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • GUSTIN, Wolfgang
    85646 Anzing (DE)
  • GRÜNING VON SCHWERIN, Ulrike
    81539 München (DE)
  • TEMMLER, Dietmar
    01109 Dresden (DE)
  • SCHREMS, Martin
    A-8063 Eggersdorf b. Graz (AT)
  • RONGEN, Stefan
    01099 Dresden (DE)
  • STRASSER, Rudolf
    HsinChu City 30077 (TW)

(74) Vertreter: Epping Hermann & Fischer 
Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) HALBLEITERSPEICHERZELLE MIT GRABENKONDENSATOR UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG