(19)
(11) EP 1 376 103 A8

(12) KORRIGIERTE EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(48) Corrigendum ausgegeben am:
18.08.2004  Patentblatt  2004/34

(88) Veröffentlichungstag A3:
21.07.2004  Patentblatt  2004/30

(43) Veröffentlichungstag:
02.01.2004  Patentblatt  2004/01

(21) Anmeldenummer: 03013754.1

(22) Anmeldetag:  17.06.2003
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: G01N 21/896, G01N 21/45, G01N 21/23
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK

(30) Priorität: 19.06.2002 DE 10227345

(71) Anmelder:
  • Schott Glas
    55122 Mainz (DE)

    AT BE BG CH CY DE DK EE ES FI FR GR HU IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR CZ 
  • Carl-Zeiss-Stiftung trading as Schott Glas
    55122 Mainz (DE)

    GB IE 

(72) Erfinder:
  • Mörsen, Ewald, Dr.
    55130 Mainz (DE)
  • Engel, Axel, Dr.
    55218 Ingelheim (DE)
  • Lemke, Christian
    07743 Jena (DE)
  • Grabosch,Günter
    55122 Mainz (DE)

(74) Vertreter: Fuchs Mehler Weiss & Fritzsche, Patentanwälte 
Naupliastrasse 110
81545 München
81545 München (DE)

   


(54) Verfahren zur Bestimmung lokaler Strukturen in optischen Kristallen


(57) Das beschriebene Verfahren zur Bestimmung lokaler Strukturen in optischen Materialien, wie z.B. Kristallen, umfaßt einen ersten Schritt der visuellen Bestimmung von Defekten, z.B in Form sichtbarer Schlieren, im Material, einen zweiten Schritt bei dem von lokalen Schlieren und Materialfehlern mit einer Ortsauflösung von mindestens 0,5 mm die Spannungsdoppelbrechung bestimmt wird, und einen dritten Schritt, bei dem Materialfehler mit derselben Ortsauflösung von 0,5 mm mittels Interferometrie bestimmt werden. Das Verfahren ist zur Herstellung optischer Elemente, insbesondere für die Mikrolithographie geeignet.