(19)
(11) EP 1 383 944 A1

(12)

(43) Date de publication:
28.01.2004  Bulletin  2004/05

(21) Numéro de dépôt: 02730364.3

(22) Date de dépôt:  17.04.2002
(51) Int. Cl.7C30B 29/36, C30B 33/00, H01L 21/02
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2002/001323
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2002/086202 (31.10.2002 Gazette  2002/44)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorité: 19.04.2001 FR 0105317

(71) Demandeur: Commissariat A L'Energie Atomique
75752 Paris 15ème (FR)

(72) Inventeurs:
  • DERYCKE, Vincent
    OSSINING, NY 10562 (US)
  • SOUKIASSIAN, Patrick
    F-78470 SAINT REMY LES CHEVREUSE (FR)

(74) Mandataire: Poulin, Gérard et al
BREVALEX3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) PROCEDE DE TRAITEMENT DE LA SURFACE D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR