(19)
(11)
EP 1 383 944 A1
(12)
(43)
Date de publication:
28.01.2004
Bulletin 2004/05
(21)
Numéro de dépôt:
02730364.3
(22)
Date de dépôt:
17.04.2002
(51)
Int. Cl.
7
:
C30B
29/36
,
C30B
33/00
,
H01L
21/02
(86)
Numéro de dépôt:
PCT/FR2002/001323
(87)
Numéro de publication internationale:
WO 2002/086202
(
31.10.2002
Gazette 2002/44)
(84)
Etats contractants désignés:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR
(30)
Priorité:
19.04.2001
FR 0105317
(71)
Demandeur:
Commissariat A L'Energie Atomique
75752 Paris 15ème (FR)
(72)
Inventeurs:
DERYCKE, Vincent
OSSINING, NY 10562 (US)
SOUKIASSIAN, Patrick
F-78470 SAINT REMY LES CHEVREUSE (FR)
(74)
Mandataire:
Poulin, Gérard et al
BREVALEX3, rue du Docteur Lancereaux
75008 Paris
75008 Paris (FR)
(54)
PROCEDE DE TRAITEMENT DE LA SURFACE D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR