CIRCUIT INTEGRE DE TYPE CMOS A TENUE EN TENSION ELEVEE - Patent 1396025

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EP 1 396 025 A2

(12)

(88)	Date de publication A3:
	13.03.2003

(43)	Date de publication:
	10.03.2004 Bulletin 2004/11

(21)	Numéro de dépôt: 02762491.5

(22)	Date de dépôt: 14.06.2002

(51)	Int. Cl.⁷: H01L 27/092, H01L 21/8238

(86)	Numéro de dépôt:
	PCT/FR2002/002063

(87)	Numéro de publication internationale:
	WO 2002/103797 (27.12.2002 Gazette 2002/52)

(84)	Etats contractants désignés:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

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Priorité:

15.06.2001 FR 0107871

(71)	Demandeur: STMicroelectronics S.A.
	92120 Montrouge (FR)

(72)	Inventeur:
	GERMANA, Rosalia F-06600 Antibes (FR)

(74)	Mandataire: de Beaumont, Michel
	Cabinet Michel de Beaumont1, rue Champollion 38000 Grenoble 38000 Grenoble (FR)

(54)	CIRCUIT INTEGRE DE TYPE CMOS A TENUE EN TENSION ELEVEE