(19)
(11) EP 1 396 026 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
09.10.2003

(43) Veröffentlichungstag:
10.03.2004  Patentblatt  2004/11

(21) Anmeldenummer: 02740639.6

(22) Anmeldetag:  23.05.2002
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 27/108, H01L 21/8242
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2002/005651
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2002/097891 (05.12.2002 Gazette  2002/49)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

(30) Priorität: 29.05.2001 DE 10125967

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • LEE, Brian
    Hsinchu (TW)
  • SCHLÖSSER, Till
    01109 Dresden (DE)

(74) Vertreter: Wilhelm, Jürgen, Dipl.-Phys. 
Patentanwaltskanzlei Wilhelm & Beck,Nymphenburger Strasse 139
80636 München
80636 München (DE)

   


(54) DRAM-ZELLENANORDNUNG MIT VERTIKALEN MOS-TRANSISTOREN UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG