ATBECHDEDKESFRGBGRITLILUNLSEMCPTIE......FI....CY..TR............................*XDIM350 (Ver 2.1 Jan 2001) 1100000/0 1710000/01396026A220040310EP02740639.62002052320031118DeDeDe1012596720010529DE20040310200411200403102004117 7H 01L 27/108 A 7H 01L 21/8242 BdeDRAM-ZELLENANORDNUNG MIT VERTIKALEN MOS-TRANSISTOREN UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNGenDRAM CELL ARRANGEMENT WITH VERTICAL MOS TRANSISTORS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOFfrDISPOSITIF DE CELLULES DRAM COMPORTANT DES TRANSISTORS MOS VERTICAUX ET PROCEDE DE FABRICATIONInfineon Technologies AG02806431INF 1191-PCTechnologies AG, InfineonSt.-Martin-Strasse 5381669 MünchenDELEE, BrianHolland Vill., Bldg. C30,19th F.,19F- 2 No.175-9HsinchuTWSCHLÖSSER, TillStendahler Str. 1001109 DresdenDEWilhelm, Jürgen, Dipl.-Phys.00079294Patentanwaltskanzlei Wilhelm & Beck,Nymphenburger Strasse 13980636 MünchenDEATBECHCYDEDKESFIFRGBGRIEITLILUMCNLPTSETREP200200565120020523DeWO20020978912002120520024920031009000000