TRANSISTOR, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLSILIZIDSCHICHT - Patent 1396028

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EP 1 396 028 A2

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(88)	Veröffentlichungstag A3:
	25.09.2003

(43)	Veröffentlichungstag:
	10.03.2004 Patentblatt 2004/11

(21)	Anmeldenummer: 02740651.1

(22)	Anmeldetag: 24.05.2002

(51)	Internationale Patentklassifikation (IPC)⁷: H01L 29/00

(86)	Internationale Anmeldenummer:
	PCT/EP2002/005773

(87)	Internationale Veröffentlichungsnummer:
	WO 2002/097895 (05.12.2002 Gazette 2002/49)

(84)	Benannte Vertragsstaaten:
	AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE TR

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Priorität:

26.05.2001 DE 10127234
12.11.2001 DE 10155915

(71)	Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik
	15236 Frankfurt an der Oder (DE)

(72)	Erfinder:
	KRÜGER, Dietmar 15236 Frankfurt (DE) GORYACHKO, Andriy 15232 Frankfurt (DE) KURPS, Rainer 15232 Frankfurt (DE) LIU, Jing, Ping 15236 Frankfurt (DE) OSTEN, Hans-Jörg 15299 Müllrose (DE)

(74)	Vertreter: Eisenführ, Speiser & Partner
	Patentanwälte RechtsanwälteAnna-Louisa-Karsch-Strasse 2 10178 Berlin 10178 Berlin (DE)

(54)	TRANSISTOR, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER METALLSILIZIDSCHICHT