(19)
(11) EP 1 396 870 A3

(12) EUROPÄISCHE PATENTANMELDUNG

(88) Veröffentlichungstag A3:
21.07.2004  Patentblatt  2004/30

(43) Veröffentlichungstag A2:
10.03.2004  Patentblatt  2004/11

(21) Anmeldenummer: 03017996.4

(22) Anmeldetag:  07.08.2003
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H01J 27/20, H01J 27/22
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK

(30) Priorität: 06.09.2002 DE 10241252

(71) Anmelder: Forschungszentrum Rossendorf e.V.
01328 Dresden (DE)

(72) Erfinder:
  • Friedrich, Manfred, Dr.
    01219 Dresden (DE)
  • Tyrroff, Horst, Dr.
    01833 Stolpen (DE)

   


(54) Sputterionenquelle


(57) Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Lebensdauer einer Sputterionenquelle zu erhöhen, den Wartungsaufwand zu senken und die Zerstäubung der Teile der Ionenquelle, welche sich in der Nähe des für die Erzeugung der negativen Ionen erforderlichen Kathodeneinsatzes befinden, weitgehend zu verhindern.
Die Erfindung geht aus von den Bauteilen lonisierer (2), Kathode (3), Sputtereinsatz (4), Formierungselektrode (5), Abschirmkappe (6) und Kathodenisolator (7) in einem vakuumdichten Gehäuse und ist dadurch gekennzeichnet, dass eine Abschirmelektrode (1) hohlzylinderförmig um die Sputterkathode, bestehend aus den Bauteilen Kathode (3), Sputtereinsatz (4) und Abschirmkappe (6), angeordnet ist, wobei die Abschirmelektrode (1) im Bereich des Sputtereinsatzes (4) rotationssymmetrisch verjüngt ausgebildet ist.







Recherchenbericht