(19)
(11) EP 1 398 793 A3

(12) DEMANDE DE BREVET EUROPEEN

(88) Date de publication A3:
02.08.2006  Bulletin  2006/31

(43) Date de publication A2:
17.03.2004  Bulletin  2004/12

(21) Numéro de dépôt: 03292185.0

(22) Date de dépôt:  05.09.2003
(51) Int. Cl.: 
G11C 11/412(2006.01)
G11C 11/419(2006.01)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR
Etats d'extension désignés:
AL LT LV MK

(30) Priorité: 06.09.2002 FR 0211060
18.09.2002 FR 0211536

(71) Demandeur: CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique S.A. - Recherche et Développement
2007 Neuchâtel (CH)

(72) Inventeurs:
  • Cserveny, Stefan
    1066 Epalinges (CH)
  • Masgonty, Jean-Marc
    2074 Marin (CH)

(74) Mandataire: Colas, Jean-Pierre 
Cabinet JP Colas 37, avenue Franklin D. Roosevelt
75008 Paris
75008 Paris (FR)

   


(54) Circuit intégré numérique réalisé en technologie MOS


(57) Circuit intégré numérique réalisé en technologie MOS, ayant au moins une partie (1) de circuit pouvant être mis en veille par intermittence et dont l'état numérique en mode actif représente de l'information devant être conservée en mode de veille, ladite partie (1) de circuit comportant des transistors (P1, P2, N1, N2) ayant une connexion de source (SN, SP) reliée, par l'intermédiaire de moyens de connexion, à une borne d'alimentation (VDD, VSS) ayant la polarité correspondant au type de conductivité dudit transistor, caractérisé en ce que lesdites connexions de source sont reliées ensemble à un noeud (SNC) commun de sources et en ce que lesdits moyens de connexion comprennent des moyens de commutation (2) permettant de modifier l'état de polarisation du noeud commun de sources (SNC) en fonction de l'état d'activité de ladite partie (1) de circuit.







Rapport de recherche