(19)
(11) EP 1 407 484 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
24.04.2003

(43) Veröffentlichungstag:
14.04.2004  Patentblatt  2004/16

(21) Anmeldenummer: 02753085.6

(22) Anmeldetag:  10.07.2002
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/331, H01L 29/737
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2002/008234
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2003/007361 (23.01.2003 Gazette  2003/04)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK RO SI

(30) Priorität: 13.07.2001 DE 10134089

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • KRIZ, Jakob
    01689 Weinboehla (DE)
  • SECK, Martin
    81827 München (DE)
  • TILKE, Armin
    01097 Dresden (DE)

(74) Vertreter: Stöckeler, Ferdinand, Dipl.-Ing. 
Schoppe, Zimmermann,Stöckeler & ZinklerPostfach 246
82043 Pullach bei München
82043 Pullach bei München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS MIT POLYSILIZIUMEMITTER