(19)
(11) EP 1 425 795 A1

(12)

(43) Date de publication:
09.06.2004  Bulletin  2004/24

(21) Numéro de dépôt: 02794818.1

(22) Date de dépôt:  14.08.2002
(51) Int. Cl.7: H01L 21/8242
(86) Numéro de dépôt:
PCT/FR2002/002887
(87) Numéro de publication internationale:
WO 2003/017362 (27.02.2003 Gazette  2003/09)
(84) Etats contractants désignés:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

(30) Priorité: 16.08.2001 FR 0110867

(71) Demandeur: Stmicroelectronics SA
F-92120 Montrouge (FR)

(72) Inventeurs:
  • MAZOYER, Pascale
    F-38100 Grenoble (FR)
  • CAILLAT, Christian
    F-38120 Saint-Egreve (FR)

(74) Mandataire: Casalonga, Axel et al
Bureau D.A. Casalonga-JossePaul-Heyse-Strasse 33
80336 Munich
80336 Munich (DE)

   


(54) CIRCUIT INTEGRE, NOTAMMENT CELLULE MEMOIRE DRAM AVEC CONTACT A FAIBLE FACTEUR DE FORME ET PROCEDE DE FABRICATION