(19)
(11) EP 1 425 796 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
14.08.2003

(43) Veröffentlichungstag:
09.06.2004  Patentblatt  2004/24

(21) Anmeldenummer: 02754539.1

(22) Anmeldetag:  19.08.2002
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/84
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2002/003023
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2003/028093 (03.04.2003 Gazette  2003/14)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

(30) Priorität: 07.09.2001 DE 10143936

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • BIRNER, Albert
    01129 Dresden (DE)
  • BREUER, Steffen
    19294 Heiddorf (DE)
  • GOLDBACH, Matthias
    01099 Dresden (DE)
  • LUETZEN, Joern
    01099 Dresden (DE)
  • SCHUMANN, Dirk
    16567 Schoenfliess (DE)

(74) Vertreter: Epping - Hermann - Fischer 
Patentanwaltsgesellschaft mbHPostfach 20 07 34
80007 München
80007 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES SOI-SUBSTRATS, VERTIKALER TRANSISTOR UND SPEICHERZELLE MIT VERTIKALEM TRANSISTOR