(19)
(11) EP 1 430 519 A2

(12)

(88) Veröffentlichungstag A3:
06.11.2003

(43) Veröffentlichungstag:
23.06.2004  Patentblatt  2004/26

(21) Anmeldenummer: 02781114.0

(22) Anmeldetag:  27.09.2002
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/285
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2002/003667
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2003/030221 (10.04.2003 Gazette  2003/15)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE SK TR

(30) Priorität: 27.09.2001 DE 10147791

(71) Anmelder: Osram Opto Semiconductors GmbH
93049 Regensburg (DE)

(72) Erfinder:
  • HÄRLE, Volker
    93164 Waldetzenberg (DE)
  • LELL, Alfred
    93142 Maxhütte-Haidhof (DE)
  • WEIMAR, Andreas
    93049 Regensburg (DE)

(74) Vertreter: Epping Hermann & Fischer 
Ridlerstrasse 55
80339 München
80339 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS AUF DER BASIS EINES NITRID-VERBINDUNGSHALBLEITERS