(19)
(11) EP 1 470 578 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
27.10.2004  Patentblatt  2004/44

(21) Anmeldenummer: 03734672.3

(22) Anmeldetag:  16.01.2003
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 21/314, H01L 21/28, H01L 21/02
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/EP2003/000377
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2003/065436 (07.08.2003 Gazette  2003/32)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT SE SI SK TR

(30) Priorität: 30.01.2002 DE 10203674

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • Beitel, Gerhard
    Kamakura-shi,2Kanagawa 248-0005 (JP)
  • Birner, Albert
    01129 Dresden (DE)
  • Hecht, Thomas
    01099 Dresden (DE)
  • Luetzen, Joern
    01099 Dresden (DE)
  • Saenger, Annette
    01099 Dresden (DE)
  • Seidl, Harald
    85622 Feldkirchen (DE)

(74) Vertreter: Beck, Josef 
c/o Patentanwaltskanzlei Wilhelm & BeckNymphenburger Strasse 139
80636 München
80636 München (DE)

   


(54) HALBLEITERBAUSTEIN MIT EINER ISOLATIONSSCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUSTEINS MIT ISOLATIONSSCHICHT