(19)
(11) EP 1 488 464 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
22.12.2004  Patentblatt  2004/52

(21) Anmeldenummer: 03717160.0

(22) Anmeldetag:  20.03.2003
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7: H01L 29/786, H01L 21/336, H01L 21/28, H01L 27/12
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2003/000933
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2003/081675 (02.10.2003 Gazette  2003/40)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR

(30) Priorität: 26.03.2002 DE 10213545

(71) Anmelder: Infineon Technologies AG
81669 München (DE)

(72) Erfinder:
  • GÖTTSCHE, Ralf
    80807 München (DE)
  • PACHA, Christian
    81739 München (DE)
  • SCHULZ, Thomas
    81737 München (DE)
  • STEINHÖGL, Werner
    80538 München (DE)

(74) Vertreter: Dokter, Eric-Michael 
Anwaltskanzlei,Viering, Jentschura & Partner,Steinsdorfstrasse 6
80538 München
80538 München (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SOI-FELDEFFEKTTRANSISTORS UND SOI-FELDEFFEKTTRANSISTOR