Mit bekannten Ätzverfahren beobachtet man beim Herstellungsprozess von Bipolartransistoren ein stark anisotropes, das heißt von der Kristallorientierung abhängiges Ätzverhalten.

Vorgeschlagen wird, dass später wegzuätzende Bereiche des III/V-Halbleitermaterials durch Ionenimplantation gezielt geschädigt und anschließend durch nasschemisches Ätzen entfernt werden. Die damit mögliche dreidimensionale Strukturierung der Halbleitergebiete ermöglicht einen hohen Grad an Designfreiheit.