(19)
(11) EP 1 522 101 A1

(12)

(43) Veröffentlichungstag:
13.04.2005  Patentblatt  2005/15

(21) Anmeldenummer: 03720179.5

(22) Anmeldetag:  14.03.2003
(51) Internationale Patentklassifikation (IPC)7H01L 27/092
(86) Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2003/000835
(87) Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2004/004010 (08.01.2004 Gazette  2004/02)
(84) Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK

(30) Priorität: 28.06.2002 DE 10229265

(71) Anmelder: STMicroelectronics N.V.
1118 BH Schiphol Airport Amsterdam (NL)

(72) Erfinder:
  • GUENTHER, Stefan
    01259 Dresden (DE)

(74) Vertreter: Hudler, Frank, Dipl.-Ing. 
Lippert, Stachow & PartnerKrenkelstrasse 3
01309 Dresden
01309 Dresden (DE)

   


(54) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MOS-TRANSISTOREN