(19)
(11)
EP 1 522 101 A1
(12)
(43)
Veröffentlichungstag:
13.04.2005
Patentblatt 2005/15
(21)
Anmeldenummer:
03720179.5
(22)
Anmeldetag:
14.03.2003
(51)
Internationale Patentklassifikation (IPC)
7
:
H01L
27/092
(86)
Internationale Anmeldenummer:
PCT/DE2003/000835
(87)
Internationale Veröffentlichungsnummer:
WO 2004/004010
(
08.01.2004
Gazette 2004/02)
(84)
Benannte Vertragsstaaten:
AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LI LU MC NL PT RO SE SI SK TR
Benannte Erstreckungsstaaten:
AL LT LV MK
(30)
Priorität:
28.06.2002
DE 10229265
(71)
Anmelder:
STMicroelectronics N.V.
1118 BH Schiphol Airport Amsterdam (NL)
(72)
Erfinder:
GUENTHER, Stefan
01259 Dresden (DE)
(74)
Vertreter:
Hudler, Frank, Dipl.-Ing.
Lippert, Stachow & PartnerKrenkelstrasse 3
01309 Dresden
01309 Dresden (DE)
(54)
VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON MOS-TRANSISTOREN